公开(公告)号：CN105071685A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510548925.4

申请日：2015-08-31

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 邱宇 ,  杨德超 ,  胡礼中 ,  张贺秋 ,  裴俊乐

IPC: H02N1/04

Abstract: 本发明涉及能源转化技术领域，提供一种具有独立摩擦结构的三维摩擦纳米发电机，包括：壳体和设置在壳体内部并能在壳体里运动的多个摩擦体；所述壳体为封闭结构，壳体内表面贴附2n片导电片，n为正整数，且各导电片相互之间不接触；每一导电片分别与导线连接，导线穿过壳体并与外部电路连接，任意两片导电片的通过各自导线与外部电路构成回路；所述导电片面向壳体中心的表面材料和所述摩擦体的表面材料之间存在摩擦电极序差异。本发明能够使摩擦体真正的实现自由运动，简化现有纳米发电机的结构，降低制作成本，拓宽摩擦纳米发电机的应用范围。

公开(公告)号：CN102703974A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210190964.8

申请日：2012-06-12

Applicant: 大连理工大学 ,  浙江水晶光电科技股份有限公司

Inventor： 梁红伟 ,  杨德超 ,  俞振南 ,  夏晓川 ,  申人升 ,  杜国同

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底及制备方法，利用掩膜技术在c面蓝宝石衬底上制备三角形掩膜图形，并利用ICP干法刻蚀或湿法刻蚀技术将掩膜图形转移到蓝宝石衬底上并形成侧面为[105]面的三棱锥或者三棱台。本发明通过在蓝宝石衬底上制备多个规则排列的蓝宝石[105]晶面暴露的三棱锥或三棱台，能够有效地降低其上生长的GaN薄膜内由应力引起的缺陷的密度，提高了GaN膜的生长质量。