Patent search ap:("大连理工大学") AND inv:"李懋源" Page 1

1.

发明公开
一种在气膜孔边采用半球形凸起结构的涡轮叶片审中-实审

公开(公告)号：CN117905531A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410114544.4

申请日：2024-01-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 吕东 , 刘英实 , 陈云 , 李懋源 , 孙一楠

IPC: F01D5/18 , F01D5/14

Abstract: 本发明属于涡轮叶片设计技术领域，特别涉及一种在气膜孔边采用半球形凸起结构的涡轮叶片。本发明在涡轮叶片气膜孔进出气口边缘的应力集中点部位增加半球形凸起，可以使应力集中角从约30°提高到约90°，从而大幅度抑制气膜孔在叶片载荷下产生的应力集中程度，起到降低最大应力和提高安全性的作用。采用有限元仿真计算分析，获得常规直圆型和在孔边设有半球型凸起的两类气膜孔在相同载荷下的应力分布，半球形凸起使得应力集中部位的结构材料变厚，应力集中角变大，从而使应力大幅度减小，经计算应力集中系数为4.6，相对于无半球形凸起结构可以减少50％以上，改善效果明显。

Patent Agency Ranking