一种高温薄膜温度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117553931A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311437379.8

    申请日:2023-11-01

    Abstract: 本发明属于温度传感器技术领域,公开一种高温薄膜温度传感器及其制备方法。高温薄膜温度传感器包括陶瓷衬底、沉积在陶瓷衬底表面的铂薄膜敏感层以及覆盖在铂薄膜敏感层和陶瓷衬底上的氧化铝保护层;氧化铝保护层的制备材料包括氧化铝溶胶和氧化铝混合液;氧化铝混合液位于两层氧化铝溶胶间;铂薄膜敏感层一端连接连接电极,连接电极与引线连接。通过真空镀膜技术在陶瓷衬底上沉积了致密的铂薄膜敏感层,然后采用电射流逐层打印技术在铂薄膜敏感层和陶瓷衬底上沉积了氧化铝保护层。本发明的高温薄膜温度传感器的测温上限可达1400℃,该产品可以满足1000℃以上高温端的实时在线测量,可在航空航天技术领域中得到很好的应用。

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