公开(公告)号：CN116762477A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202180092241.1

申请日：2021-01-28

Applicant: 夏普株式会社 ,  NS材料株式会社

Inventor： 山本真树 ,  后藤一辉 ,  山田博久 ,  上田雅也 ,  小椋佑子 ,  田中雅典 ,  高崎幹大 ,  高三潴由香 ,  荷方惣一朗 ,  伊藤哲二 ,  渡边真由子

IPC: H05B33/14

Abstract: 量子点(25)包括含有Zn和Se的核(25a)、和在核(25a)的表面与核(25a)邻接设置的由ZnS构成的壳(25b)，是发出蓝色光的无Cd的量子点，其粒径在3nm以上且20nm以下的范围内，且薄膜状态下的荧光寿命为50ns以下。

公开(公告)号：CN111201305A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201880065902.X

申请日：2018-10-12

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 小椋佑子 ,  高三潴由香 ,  饭田和则 ,  堤绘美 ,  田中雅典 ,  荷方惣一朗

IPC: C09K11/88 ,  C01B19/04 ,  F21V7/30 ,  H01L33/50 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无Cd且荧光半峰宽窄，发出蓝色荧光的量子点。本发明的量子点(1)的特征在于不包含镉，荧光半峰宽为25nm以下。在本发明中，量子点优选为含有锌和硒，或锌、硒和硫的纳米晶体。此外，量子点优选具有以下核壳结构：以纳米晶体为核(1a)，在核表面包覆有壳(1b)。

公开(公告)号：CN110945105A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201880048541.8

申请日：2018-07-27

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 饭田和则 ,  堤绘美 ,  小椋佑子 ,  田中雅典 ,  荷方惣一朗 ,  高三潴由香

IPC: C09K11/88 ,  F21S2/00 ,  H01L33/50 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明的目的在于提供一种不包含镉的荧光半峰宽小的量子点。本发明的量子点(5)的特征在于，不包含镉，荧光半峰宽为30nm以下。量子点优选含有锌和碲，或锌、碲和硫，或锌、碲、硒和硫的纳米晶体。此外，量子点优选具有以下核壳结构：以所述纳米晶体为核，在所述核的表面包覆有壳。

公开(公告)号：CN113039257A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202080003704.8

申请日：2020-09-16

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 荷方惣一朗 ,  小椋佑子 ,  高崎干大 ,  高三潴由香

IPC: C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种荧光半峰宽窄且荧光量子产率高的发出蓝色荧光的量子点。本发明的量子点(5)为一种至少含有Zn和Se而不含Cd的量子点，其特征在于，粒径为5nm以上20nm以下。而且，本发明的量子点(5)为一种至少含有Zn和Se而不含Cd的量子点，其特征在于，荧光量子产率为5％以上，荧光半峰宽为25nm以下。本发明能够使荧光寿命为50ns以下。

公开(公告)号：CN112752828A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202080003773.9

申请日：2020-07-31

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 荷方惣一朗 ,  道胁曜子 ,  稗田智明 ,  小椋佑子 ,  三岛章雄 ,  卡路西克·维特

IPC: C09K11/62 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种荧光半峰宽窄且荧光量子收率高的不含Cd的钙铁矿系的量子点。本发明的量子点是由AgInxGa1‑xSySe1‑y系、或者ZnAgInxGa1‑xSySe1‑y系(0≤x＜1、0≤y≤1)形成的量子点，其特征在于，在绿色波长域至红色波长域中显示出荧光半峰宽为45nm以下、荧光量子收率为35％以上的荧光特性。

公开(公告)号：CN116981753A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202180094613.4

申请日：2021-12-24

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 三岛章雄 ,  荷方惣一朗 ,  维特·卡鲁塞克 ,  岛崎俊明 ,  小椋佑子 ,  高崎干大 ,  上田章悟 ,  芦村雄也

IPC: C09K11/08

Abstract: 本发明的目的在于提供能够使表面大量含有Zn的量子点的制造方法以及量子点。本发明的量子点的制造方法的特征在于，包括生成至少含有Ag、Ga、S或者含有Ag、Ga、Se的核的工序和在所述核的表面包覆壳的工序，在包覆所述壳的工序中，在所述核的表面包覆了GaS之后添加Zn。优选在包覆GaS之后包覆ZnS。优选在所述核以及所述壳中不含Cd及In。

公开(公告)号：CN113583677A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110710825.2

申请日：2018-10-12

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 小椋佑子 ,  高三潴由香 ,  饭田和则 ,  堤绘美 ,  田中雅典 ,  荷方惣一朗

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  C01B19/04 ,  F21V7/30 ,  H01L33/50 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无Cd且荧光半峰宽窄，发出蓝色荧光的量子点。本发明的量子点(1)的特征在于不包含镉，荧光半峰宽为25nm以下。在本发明中，量子点优选为含有锌和硒，或锌、硒和硫的纳米晶体。此外，量子点优选具有以下核壳结构：以纳米晶体为核(1a)，在核表面包覆有壳(1b)。

公开(公告)号：CN111201305B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201880065902.X

申请日：2018-10-12

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 小椋佑子 ,  高三潴由香 ,  饭田和则 ,  堤绘美 ,  田中雅典 ,  荷方惣一朗

IPC: C09K11/88 ,  C01B19/04 ,  F21V7/30 ,  H01L33/50 ,  F21Y115/10

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无Cd且荧光半峰宽窄，发出蓝色荧光的量子点。本发明的量子点(1)的特征在于不包含镉，荧光半峰宽为25nm以下。在本发明中，量子点优选为含有锌和硒，或锌、硒和硫的纳米晶体。此外，量子点优选具有以下核壳结构：以纳米晶体为核(1a)，在核表面包覆有壳(1b)。