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发明公开
量子点及其制造方法审中-实审转让

公开(公告)号：CN112752828A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202080003773.9

申请日：2020-07-31

Applicant: NS材料株式会社

Inventor： 荷方惣一朗 , 道胁曜子 , 稗田智明 , 小椋佑子 , 三岛章雄 , 卡路西克·维特

IPC: C09K11/62 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种荧光半峰宽窄且荧光量子收率高的不含Cd的钙铁矿系的量子点。本发明的量子点是由AgInxGa1‑xSySe1‑y系、或者ZnAgInxGa1‑xSySe1‑y系(0≤x＜1、0≤y≤1)形成的量子点，其特征在于，在绿色波长域至红色波长域中显示出荧光半峰宽为45nm以下、荧光量子收率为35％以上的荧光特性。

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