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公开(公告)号：CN100440059C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200480016060.7
申请日：2004-04-28
CPC classification number: G03G15/02
Abstract: 本发明提供在大气中也长时间稳定发射电子的电子发射装置、采用该电子发射装置的带电装置及采用该带电装置的带电方法。电子发射装置(10)具有由第1电极(b)、第2电极(2)、以及在它们之间形成的半导体层(4)构成的电子发射元件(11)；以及对第1电极(b)交替施加能够发射电子的正电压、和与该正电压极性相反的负电压的电源(20)。半导体层(4)的第1电极(b)一侧的表面的至少一部分形成多孔半导体层(5)。在加上正电压进行电子发射的过程中被多孔半导体层(5)捕获的电子，虽然妨碍从电子发射元件(11)发射电子，但该电子通过加上负电压可以除去。
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公开(公告)号：CN1802611A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480016060.7
申请日：2004-04-28
CPC classification number: G03G15/02
Abstract: 本发明提供在大气中也长时间稳定发射电子的电子发射装置、采用该电子发射装置的带电装置及采用该带电装置的带电方法。电子发射装置(10)具有由第1电极(b)、第2电极(2)、以及在它们之间形成的半导体层(4)构成的电子发射元件(11)；以及对第1电极(b)交替施加能够发射电子的正电压和与该正电压极性相反的负电压的电源(20)。半导体层(4)的第1电极(b)一侧的表面的至少一部分形成多孔半导体层(5)。在加上正电压进行电子发射的过程中被多孔半导体层(5)捕获的电子，虽然妨碍从电子发射元件(11)发射电子，但该电子通过加上负电压可以除去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1777844A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010842.X
申请日：2004-04-13
CPC classification number: G03G15/0291
Abstract: 电子发射元件(11)，由在上部电极(16)和下部电极(13)之间的半导体层(14)构成，其特点在于，上述半导体层(14)的半导体表面上具有吸附有机化合物的有机化合物吸附层(15)。在此，上述半导体层(14)由硅或者多晶硅构成，其可部分或者全部多孔质。另外，被吸附的上述有机化合物，非环烃可以为至少结合醛基的化合物或者具有不饱和键的非环烃。结果，可提供在大气压中或者低真空中均可稳定工作的电子发射元件以及使用其的成像装置。
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公开(公告)号：CN100422866C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480010842.X
申请日：2004-04-13
CPC classification number: G03G15/0291
Abstract: 电子发射元件(11)，由在上部电极(16)和下部电极(13)之间的半导体层(14)构成，其特点在于，上述半导体层(14)的半导体表面上具有吸附有机化合物的有机化合物吸附层(15)。在此，上述半导体层(14)由硅或者多晶硅构成，其可部分或者全部多孔质。另外，被吸附的上述有机化合物，非环烃可以为至少结合醛基的化合物或者具有不饱和键的非环烃。结果，可提供在大气压中或者低真空中均可稳定工作的电子发射元件以及使用其的成像装置。
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公开(公告)号：CN100376040C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN03800686.3
申请日：2003-03-07
Abstract: 所公开的是一种电子源(10)，该电子源包括形成于绝缘基片(1)一侧表面上的电子源元件(10a)。电子源元件(10a)包括下电极(2)，复合纳米晶体层(6)和表面电极(7)。复合纳米晶体层(6)包括多个多晶硅晶粒51，在每个晶粒(51)表面上形成的氧化硅薄膜(52)，存在于相邻晶粒(51)之间的大量纳米晶体硅(63)，以及在每个纳米晶体硅(63)表面形成的氧化硅膜(64)。氧化硅膜(64)是厚度小于纳米晶体硅(63)晶粒大小的绝缘膜。表面电极(7)是由碳薄膜(7a)和金属薄膜(7b)形成，碳薄膜(7a)层压在复合纳米晶体层(6)上与其相接触，而金属薄膜(7b)层压在碳薄膜(7a)上。
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公开(公告)号：CN101023532A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200480043689.0
申请日：2004-07-27
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L51/52 , H01L51/0059 , H01L51/5092
Abstract: 本发明提供一种发光元件，具有：具备层叠了具有背面电极的半导体或者导电性衬底、生成热电子或者准弹道或弹道电子的生成层、发光层以及半透明表面电极的构造，或者在同一构造的元件的发光层和半透明表面电极之间设置了空穴供给层的构造，用比注入型或者本征EL还少的电流注入量从红外到紫外整个范围内实现高效率的发光。
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公开(公告)号：CN1533608A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800686.3
申请日：2003-03-07
Abstract: 所公开的是一种电子源10，该电子源包括形成于绝缘基片1一侧表面上的电子源元件10a。电子源元件10a包括下电极2，复合纳米晶体层6和表面电极7。复合纳米晶体层6包括多个多晶硅晶粒51，在每个晶粒51表面上形成的氧化硅薄膜52，存在于相邻晶粒51之间的大量纳米晶体硅63，以及在每个纳米晶体硅63表面形成的氧化硅膜64。氧化硅膜64是厚度小于纳米晶体硅63晶粒大小的绝缘膜。表面电极7是由碳薄膜7a和金属薄膜7b形成，碳薄膜7a层压在复合纳米晶体层6上与其相接触，而金属薄膜7b层压在碳薄膜7a上。
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