公开(公告)号：CN1288589A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN99802117.2

申请日：1999-11-11

Applicant: 夏普株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 野原正宽 ,  桥本僚 ,  桶谷大亥 ,  阿部久起 ,  丸山岳人 ,  青山哲男

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C03C23/0075 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/24 ,  G02F1/13439 ,  G03F7/423 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明公开了一种包含0.1—60%重量氧化剂和0.0001—5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中,用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中,通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中,薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。

公开(公告)号：CN1155055C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99802117.2

申请日：1999-11-11

Applicant: 夏普株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 野原正宽 ,  桥本僚 ,  桶谷大亥 ,  阿部久起 ,  丸山岳人 ,  青山哲男

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  C11D7/18 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C03C23/0075 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/24 ,  G02F1/13439 ,  G03F7/423 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明公开了一种包含0.1-60%重量氧化剂和0.0001-5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中，用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中，通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中，薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。

公开(公告)号：CN1296064A

公开(公告)日：2001-05-23

申请号：CN00134237.1

申请日：2000-09-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 池本一人 ,  安部幸次郎 ,  青山哲男

IPC: C11D7/26 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/263 ,  C11D7/268 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3227 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31133

Abstract: 一种光刻胶洗涤组合物包括0.001—0.5%重量氟化合物,50—99%重量醚溶剂和余量是水。由于含有这种特定含量范围的醚溶剂,该光刻胶洗涤组合物在冲洗步骤中用水稀释时表现出减小腐蚀性并可以完全去除光刻胶残余物而不腐蚀电路材料和基片材料。

公开(公告)号：CN1184299C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN00134237.1

申请日：2000-09-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 池本一人 ,  安部幸次郎 ,  青山哲男

IPC: C11D7/26 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/263 ,  C11D7/268 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3227 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31133

Abstract: 一种光刻胶洗涤组合物包括0.001-0.5%重量氟化合物，50-99%重量醚溶剂和余量是水。由于含有这种特定含量范围的醚溶剂，该光刻胶洗涤组合物在冲洗步骤中用水稀释时表现出减小腐蚀性并可以完全去除光刻胶残余物而不腐蚀电路材料和基片材料。

公开(公告)号：CN1397090A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN01804293.7

申请日：2001-11-21

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 南场哲 ,  丸山岳人 ,  阿部久起 ,  青山哲男

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L21/32134 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了一种用于透明导电薄膜的湿法蚀刻剂组合物，是包含草酸和聚氧乙烯烷基醚硫酸盐和/或聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸盐的水溶液。使用上述的蚀刻剂组合物能够在温和的条件下蚀刻无定形ITO，而且一点也不产生蚀刻残渣。

公开(公告)号：CN1214449C

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN01804293.7

申请日：2001-11-21

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 南场哲 ,  丸山岳人 ,  阿部久起 ,  青山哲男

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L21/32134 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了一种用于透明导电薄膜的湿法蚀刻剂组合物，是包含草酸和聚氧乙烯烷基醚硫酸盐和/或聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸盐的水溶液。使用上述的蚀刻剂组合物能够在温和的条件下蚀刻无定形ITO，而且一点也不产生蚀刻残渣。