公开(公告)号：CN1155055C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99802117.2

申请日：1999-11-11

Applicant: 夏普株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 野原正宽 ,  桥本僚 ,  桶谷大亥 ,  阿部久起 ,  丸山岳人 ,  青山哲男

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  C11D7/18 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C03C23/0075 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/24 ,  G02F1/13439 ,  G03F7/423 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明公开了一种包含0.1-60%重量氧化剂和0.0001-5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中，用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中，通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中，薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。

公开(公告)号：CN1288589A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN99802117.2

申请日：1999-11-11

Applicant: 夏普株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 野原正宽 ,  桥本僚 ,  桶谷大亥 ,  阿部久起 ,  丸山岳人 ,  青山哲男

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C03C23/0075 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/24 ,  G02F1/13439 ,  G03F7/423 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明公开了一种包含0.1—60%重量氧化剂和0.0001—5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中,用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中,通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中,薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。