非易失性半导体存储装置及重写方法

    公开(公告)号:CN100380523C

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN03156685.5

    申请日:2003-09-05

    Inventor: 田中嗣彦

    Abstract: 提供了一种非易失性半导体存储装置,包括:存储阵列,包括多个存储单元,其中所述多个存储单元中的每一个均能够存储与其电压相关的多个数据值,所述多个数据值包括与第一电压范围相对应的第一数据值和与第二电压范围相对应的第二数据值,并将所述第一数据写入所述多个存储单元的一个存储单元中;确定部分,用于确定所述一个存储单元的电压值是否高于或低于设置在所述第一电压范围的最大值和最小值之间的参考值;以及重写部分,根据所述确定部分的确定结果,将所述第一数据重新写入到所述一个存储单元中,从而扩大所述一个存储单元中的所述第一电压范围和所述第二电压范围之间的余量。

    非易失性半导体存储装置及重写方法

    公开(公告)号:CN1492446A

    公开(公告)日:2004-04-28

    申请号:CN03156685.5

    申请日:2003-09-05

    Inventor: 田中嗣彦

    Abstract: 提供了一种非易失性半导体存储装置,包括:存储阵列,包括多个存储单元,其中所述多个存储单元中的每一个均能够存储与其电压相关的多个数据值,所述多个数据值包括与第一电压范围相对应的第一数据值和与第二电压范围相对应的第二数据值,并将所述第一数据写入所述多个存储单元的一个存储单元中;确定部分,用于确定所述一个存储单元的电压值是否高于或低于设置在所述第一电压范围的最大值和最小值之间的参考值;以及重写部分,根据所述确定部分的确定结果,将所述第一数据重新写入到所述一个存储单元中,从而扩大所述一个存储单元中的所述第一电压范围和所述第二电压范围之间的余量。

    照明装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102656400B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201080057206.8

    申请日:2010-10-25

    CPC classification number: F21S9/037 F21L4/08 F21V29/713 F21Y2115/10 Y02B10/10

    Abstract: 本发明提供一种照明装置。移动式照明装置(1)包括:装置主体(10);配置在装置主体(10)的正面的太阳能电池板(20);收容于装置主体(10)的蓄电池(40)和照明单元(50);以及底架(10b)。照明单元(50)包括印刷线路板(51)和LED(52),并组装于底架(10b)。底架(10b)包括位于太阳能电池板(20)和照明单元(50)之间的平板状的散热部(11)。印刷线路板(51)借助热传导构件而成为与散热部(11)的一个主面紧密接触的状态,从而与散热部(11)热接触,并且太阳能电池板(20)借助粘接层粘接在散热部(11)的另一主面上,从而固定于底架(10b)。由此,具备太阳能电池板的移动式照明装置即使在装置主体薄型化的情况下,也能得到良好的散热特性且可以抑制照明不均的发生。

    照明装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102656400A

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201080057206.8

    申请日:2010-10-25

    CPC classification number: F21S9/037 F21L4/08 F21V29/713 F21Y2115/10 Y02B10/10

    Abstract: 本发明提供一种照明装置。移动式照明装置(1)包括:装置主体(10);配置在装置主体(10)的正面的太阳能电池板(20);收容于装置主体(10)的蓄电池(40)和照明单元(50);以及底架(10b)。照明单元(50)包括印刷线路板(51)和LED(52),并组装于底架(10b)。底架(10b)包括位于太阳能电池板(20)和照明单元(50)之间的平板状的散热部(11)。印刷线路板(51)借助热传导构件而成为与散热部(11)的一个主面紧密接触的状态,从而与散热部(11)热接触,并且太阳能电池板(20)借助粘接层粘接在散热部(11)的另一主面上,从而固定于底架(10b)。由此,具备太阳能电池板的移动式照明装置即使在装置主体薄型化的情况下,也能得到良好的散热特性且可以抑制照明不均的发生。

    半导体存储装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100359604C

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN03152359.5

    申请日:2003-07-30

    Abstract: 一种半导体存储装置,它包括:存储单元阵列,该存储单元阵列具有双值存储区和多值存储区,其中,双值存储区包含多个存储单元,每个存储单元包括1比特的数据,以及多值存储区包括多个存储单元,每个存储单元包括2个或者多比特数据;以及读出放大器部分,该部分对于双值存储区的数据读取和多值存储区的数据读取是公用的,以便通过将选择的存储单元与参考单位进行比较,读取在所选存储单元中存储的数据。

    半导体存储装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1477646A

    公开(公告)日:2004-02-25

    申请号:CN03152359.5

    申请日:2003-07-30

    Abstract: 一种半导体存储装置,它包括:存储单元阵列,该存储单元阵列具有双值存储区和多值存储区,其中,双值存储区包含多个存储单元,每个存储单元包括1比特的数据,以及多值存储区包括多个存储单元,每个存储单元包括2个或者多比特数据;以及读出放大器部分,该部分对于双值存储区的数据读取和多值存储区的数据读取是公用的,以便通过将选择的存储单元与参考单位进行比较,读取在所选存储单元中存储的数据。

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