公开(公告)号：CN1815733A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200610005140.3

申请日：2006-01-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 丸山朋代 ,  矢野祐司

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H05K1/144 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置是通过粘合材料将半导体元件搭载在电路基板上。进而，通过粘合材料将具备外部端子连接部的连接用电路基板搭载在半导体元件的上表面，将连接用电路基板的下表面和电路基板的上表面利用导电体端子相连接。然后，将电路基板和连接用电路基板之间通过密封树脂进行密封。由此，实现一种小而薄的半导体装置，其中，对于用于与层叠在上一级的半导体装置或电子部件的连接的外部连接用端子，其在配置上的制约较少，能够提高安装密度，并且散热性能优良。

公开(公告)号：CN100452396C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610005140.3

申请日：2006-01-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 丸山朋代 ,  矢野祐司

IPC: H01L25/10 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H05K1/144 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置是通过粘合材料将半导体元件搭载在电路基板上。进而，通过粘合材料将具备外部端子连接部的连接用电路基板搭载在半导体元件的上表面，将连接用电路基板的下表面和电路基板的上表面利用导电体端子相连接。然后，将电路基板和连接用电路基板之间通过密封树脂进行密封。由此，实现一种小而薄的半导体装置，其中，对于用于与层叠在上一级的半导体装置或电子部件的连接的外部连接用端子，其在配置上的制约较少，能够提高安装密度，并且散热性能优良。