公开(公告)号：CN118821598A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410853783.1

申请日：2024-06-28

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 左元慧 ,  曹玲娟 ,  马宏平 ,  张清纯

IPC: G06F30/27 ,  H01L21/265 ,  G06N20/10 ,  G06N3/096 ,  G06F18/21

Abstract: 本发明属于碳化硅功率器件制程技术领域，具体为一种基于机器学习的碳化硅功率器件离子注入优化方法。本发明方法包括获取历史碳化硅功率器件离子注入工艺数据，制作离子注入工艺优化样本数据集；并将样本数据集划分为训练集A1、训练集A2和测试集；利用训练集A1训练SVM预测模型，得到初始SVM预测模型；根据训练集A2，利用基于网络的迁移学习的方法对初始的SVM预测模型进行训练和验证，得到训练好的SVM预测模型；利用训练好的SVM预测模型对所述测试集进行测试。本发明能够提高工艺优化的速率及准确性，同时降低成本，减少废品率；能够高效适应各种不同的离子注入工艺条件与对应工艺结果的动态变化。

公开(公告)号：CN118650509B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202410822201.3

申请日：2024-06-24

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 朱德彪 ,  张俊然 ,  杨月平 ,  曹玲娟 ,  单保淋 ,  魏克温

IPC: B24B7/22 ,  B24B41/047 ,  B24B55/00 ,  B24B49/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体研磨主轴及半导体研磨设备，包括：支撑基座；主轴本体，通过磁浮装置支撑于所述支撑基座上，所述主轴本体的一端用于设置研磨盘，且所述磁浮装置至少包括轴向磁浮组件和径向磁浮组件，所述轴向磁浮组件用于为所述主轴本体提供轴向上的支撑力，所述径向磁浮组件用于为所述主轴本体提供径向上的支撑力。本发明在主轴本体和支撑基座之间构建磁场产生相互作用力，以使得主轴本体处于悬浮状态，形成没有机械接触式的转动支撑，因此摩擦损耗较小，而且因没有摩擦，避免了因磨损导致精度降低的问题，而且不需要气体作为润滑剂，因此可避免通入气体带来的污染问题。

公开(公告)号：CN118650509A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410822201.3

申请日：2024-06-24

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 朱德彪 ,  张俊然 ,  杨月平 ,  曹玲娟 ,  单保淋 ,  魏克温

IPC: B24B7/22 ,  B24B41/047 ,  B24B55/00 ,  B24B49/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体研磨主轴及半导体研磨设备，包括：支撑基座；主轴本体，通过磁浮装置支撑于所述支撑基座上，所述主轴本体的一端用于设置研磨盘，且所述磁浮装置至少包括轴向磁浮组件和径向磁浮组件，所述轴向磁浮组件用于为所述主轴本体提供轴向上的支撑力，所述径向磁浮组件用于为所述主轴本体提供径向上的支撑力。本发明在主轴本体和支撑基座之间构建磁场产生相互作用力，以使得主轴本体处于悬浮状态，形成没有机械接触式的转动支撑，因此摩擦损耗较小，而且因没有摩擦，避免了因磨损导致精度降低的问题，而且不需要气体作为润滑剂，因此可避免通入气体带来的污染问题。