-
公开(公告)号：CN1060821C
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN97106555.1
申请日：1997-08-06
Applicant: 复旦大学
IPC: C23F1/32
Abstract: 本发明是加工多层硅微机械结构的掩模—无掩模各向异性腐蚀技术。已有技术采用掩模淀积，光刻和在掩模限制下的硅各向异性腐蚀，用以制作多层结构时工艺复杂而且不能形成较深的结构，有很大的局限性。本发明利用了KOH腐蚀液对有掩模腐蚀形成的 方向硅台阶作无掩模腐蚀时{311}面取代原{111}侧面的特性和相对台阶之间的相互作用，可同时产生多个可位于任意深度的新层面。因此可制成现有技术无法加工的多层硅微机械结构。
-
公开(公告)号：CN100439235C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710069726.0
申请日：2007-06-27
Applicant: 温州大学 , 昆山双桥传感器测控技术有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种超微压压力传感器硅芯片的制作方法，利用硅的平面工艺和体微机械加工技术结合，采用集成电路平面工艺技术和硅的各向异性腐蚀，结合压力传感器芯片设计中梁膜结构与平膜双岛结构的优点，采用双岛-梁-膜结构充分集中了应力，在保证高线性精度下，研制了高灵敏度超低微压压力传感器硅微芯片。该方法主要包括氧化-双面光刻对准记号-氧化-光刻背部大膜和光刻正面梁区-背部大膜和正面梁区腐蚀-氧化-光刻背面应力匀散区-背面应力匀散区腐蚀-背面胶保护正面漂净SiO2层-氧化-光刻电阻区-力敏电阻区硼掺杂-光刻浓硼区-浓硼扩散形成欧姆区-正反面淀积氮化硅-光刻引线孔-光刻背小岛、光刻背大岛-正面镀铝层、反刻铝引线、合金化-进入腐蚀工艺流程等步骤。
-
公开(公告)号：CN101108723A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710069726.0
申请日：2007-06-27
Applicant: 温州大学 , 昆山双桥传感器测控技术有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种超微压压力传感器硅芯片的制作方法，利用硅的平面工艺和体微机械加工技术结合，采用集成电路平面工艺技术和硅的各向异性腐蚀，结合压力传感器芯片设计中梁膜结构与平膜双岛结构的优点，采用双岛-梁-膜结构充分集中了应力，在保证高线性精度下，研制了高灵敏度超低微压压力传感器硅微芯片。该方法主要包括氧化-双面光刻对准记号-氧化-光刻背部大膜和光刻正面梁区-背部大膜和正面梁区腐蚀-氧化-光刻背面应力匀散区-背面应力匀散区腐蚀-背面胶保护正面漂净SiO2层-氧化-光刻电阻区-力敏电阻区硼掺杂-光刻浓硼区-浓硼扩散形成欧姆区-正反面淀积氮化硅-光刻引线孔-光刻背小岛、光刻背大岛-正面镀铝层、反刻铝引线、合金化-进入腐蚀工艺流程等步骤。
-
公开(公告)号：CN1177021A
公开(公告)日：1998-03-25
申请号：CN97106555.1
申请日：1997-08-06
Applicant: 复旦大学
IPC: C23F1/32
Abstract: 本发明是加工多层硅微机械结构的掩模—无掩模各向异性腐蚀技术。已有技术采用掩模淀积,光刻和在掩模限制下的硅各向异性腐蚀,用以制作多层结构时工艺复杂而且不能形成较深的结构,有很大的局限性。本发明利用了KOH腐蚀液对有掩模腐蚀形成的 方向硅台阶作无掩模腐蚀时{311}面取代原{111}侧面的特性和相对台阶之间的相互作用,可同时产生多个可位于任意深度的新层面。因此可制成现有技术无法加工的多层硅微机械结构。
-
公开(公告)号：CN2049351U
公开(公告)日：1989-12-13
申请号：CN89208086.8
申请日：1989-05-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型属半导体力传感器领域，包括硅膜芯片、力敏器件、陶瓷管座、玻璃底板几个部分。其中硅膜芯片设计成十字梁岛结构形式，力敏器件设置在应变梁接近边框的端点处，用半导体离子注入工艺制作。与通常的力传感器相比，本器件体积小，灵敏度高，而且稳定性、一致性也好，成本也较低。可广泛应用于小量程范围的力的测量、医用脉波测量等领域。
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.01 seconds)
