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公开(公告)号：CN116555734A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310574489.2
申请日：2023-05-22
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种在金刚石表面异质外延的氧化镓薄膜及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明采用原子层沉积技术，首先制备氧终端金刚石衬底表面，然后在氧终端金刚石衬底表面沉积氧化镓得到氧化镓薄膜。本发明获得的氧化镓薄膜具有优异的厚度均匀性和极其精确的成分控制，与此同时，采用的原子层沉积方法是在低温条件下进行，由此，氧化镓与金刚石界面处的粘合性非常好，不会因金刚石和氧化镓之间较大的材料性质差异而受到影响。
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