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公开(公告)号:CN111090928B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN201911131648.1
申请日:2019-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明属于液晶显示面板技术领域,具体涉及针对TFT阈值电压漂移的SPICE仿真方法。本发明是在现有TFT SPICE仿真模型基础上,并联一个由电容C和一个电阻R组成的子电路,仿真时,在TFT的栅极G增加一个受控电压源,从而实现对TFT器件阈值电压漂移现象的建模和仿真。本发明仿真结果可以用来判断TFT器件转移特性曲线漂移对液晶面板显示质量,以及显示用OLED亮度和寿命的影响,从而使平板显示器的设计更加可靠。
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公开(公告)号:CN110992896A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201911131211.8
申请日:2019-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G09G3/3266 , G09G3/36
Abstract: 本发明属于半导体显示技术领域,具体为一种显示面板的栅驱动单元,驱动电路及显示装置。本发明通过若干个TFT和1个平板电容,实现面板显示中对开关TFT栅极驱动的功能单元,其包括正向输入模块、反向输入模块、上拉模块、下拉模块和一个反相器;通过驱动单元间的连接,实现栅极驱动信号的移位寄存功能,形成显示面板的栅极驱动电路。本发明通过较少的TFT及电容,实现对显示面板栅极的稳定驱动,有利于实现较高的空间利用率,窄边框,降低功耗,提高显示面板的生产效率和良品率。
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公开(公告)号:CN111090928A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201911131648.1
申请日:2019-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明属于液晶显示面板技术领域,具体涉及针对TFT阈值电压漂移的SPICE仿真方法。本发明是在现有TFT SPICE仿真模型基础上,并联一个由电容C和一个电阻R组成的子电路,仿真时,在TFT的栅极G增加一个受控电压源,从而实现对TFT器件阈值电压漂移现象的建模和仿真。本发明仿真结果可以用来判断TFT器件转移特性曲线漂移对液晶面板显示质量,以及显示用OLED亮度和寿命的影响,从而使平板显示器的设计更加可靠。
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公开(公告)号:CN109560044A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201811308213.5
申请日:2018-11-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/77 , H01L21/265 , H01L21/321 , H01L21/324 , H01L27/1214 , H01L27/1259 , H01L27/3244 , H01L29/66742 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示面板技术领域,具体涉及一种抑制薄膜晶体管阈值电压漂移的方法。本发明是在薄膜晶体管(TFT)开始工作前,通过降低位于TFT栅绝缘层内部,以及栅绝缘层与半导体薄膜界面处的缺陷态密度或缺陷态的俘获截面,从而抑制TFT在工作时阈值电压的漂移;具体采用如下技术措施之一种:生长不同的电介质薄膜并对薄膜及其内部的固定电荷量通过热处理进行调控;离子注入;在半导体薄膜靠近栅绝缘层一侧的表面注入额外的电子或空穴;调节作为沟道层的半导体薄膜的掺杂浓度和薄膜厚度;在TFT的Gate端预置偏置电场。本发明方法操作方便,抑制薄膜晶体管阈值电压漂移效果明显。
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公开(公告)号:CN109360850A
公开(公告)日:2019-02-19
申请号:CN201811308208.4
申请日:2018-11-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3262
Abstract: 本发明属于集成电路设计技术领域,具体为一种降低AMOLED像素电路中驱动TFT功耗的方法。本发明通过减小AMOLED像素电路中作为驱动TFT(包括N型TFT和P型TFT)的阈值电压的绝对值|VTH|,从而降低其功耗。包括以下技术手段:生长不同的电介质薄膜并对薄膜及其内部的固定电荷量通过热处理进行调控;离子注入;在半导体薄膜靠近栅绝缘层一侧的表面注入额外的电子或空穴;调节作为沟道层的半导体薄膜的参杂浓度和厚度。本发明可以降低AMOLED显示面板中每一个亚像素在工作时的功耗。从而降低整个OLED显示面板的工作功耗。
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公开(公告)号:CN109360850B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN201811308208.4
申请日:2018-11-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明属于集成电路设计技术领域,具体为一种降低AMOLED像素电路中驱动TFT功耗的方法。本发明通过减小AMOLED像素电路中作为驱动TFT(包括N型TFT和P型TFT)的阈值电压的绝对值|VTH|,从而降低其功耗。包括以下技术手段:生长不同的电介质薄膜并对薄膜及其内部的固定电荷量通过热处理进行调控;离子注入;在半导体薄膜靠近栅绝缘层一侧的表面注入额外的电子或空穴;调节作为沟道层的半导体薄膜的参杂浓度和厚度。本发明可以降低AMOLED显示面板中每一个亚像素在工作时的功耗。从而降低整个OLED显示面板的工作功耗。
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