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公开(公告)号：CN116249440A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310267640.8
申请日：2023-03-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明属于阻变存储器件技术领域，具体为一种基于二维离子导电体的阈值转变器件及其制备方法。本发明器件自上而下依次为衬底、氧化物层、底电极、二维离子导电体功能层、少层石墨烯、顶电极；其中，氧化层为SiO2,底电极为Cr和Cu电极，二维离子导电体功能层为铜基磷硫酸盐，顶电极为Cr和Au电极。本发明通过引入铜电极与铜基磷硫酸盐以及石墨烯形成范德华异质结；通过施加电压控制铜基磷硫酸盐中铜离子的耗尽与积累，从而实现稳定的阈值阻变行为。铜电极的引入增加了铜离子的浓度梯度，使得功能层在电压降低时能通过铜离子扩散从低阻态恢复到高阻态。该阈值转变器件具有良好的稳定性和抗疲劳特性、较高的开关比以及超小亚阈值摆幅等特点。
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