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公开(公告)号：CN2069171U
公开(公告)日：1991-01-09
申请号：CN89214652.4
申请日：1989-07-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型属半导体压力传感器领域。包括硅芯片、安装芯片的底板和管座，引出线等，压阻器件与硅衬底之间有由多孔硅氧化法获得的二氧化硅介质层作为隔离层。该隔离层隔离性能优良，漏电流甚微，两个分离器件间的击穿电压超过200伏，该传感器既保持了单晶硅型压力传感器的高灵敏度特性，又可在高温环境下工作。
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