公开(公告)号：CN100550391C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710039405.6

申请日：2007-04-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  费瑾文 ,  汤庭鳌

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明涉及一种铁电电容器和铁电场效应管及其制备方法。该铁电电容器包括：n型或p型半导体衬底，在该衬底上设置的包含铁电层和反铁电层的双层结构，以及在该双层结构设置的上电极，必要时，在衬底和双层铁电结构之间设置一绝缘层。铁电场效管是上述铁电电容器作为存储单元。按常规工艺，依次制备衬底、绝缘层、铁电双层结构和上电极。本发明设计的铁电电容器和铁电场效管可有效提高逻辑保持时间。

公开(公告)号：CN101047189A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710039405.6

申请日：2007-04-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  费瑾文 ,  汤庭鳌

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明涉及一种铁电电容器和铁电场效应管及其制备方法。该铁电电容器包括：n型或p型半导体衬底，在该衬底上设置的包含铁电层和反铁电层的双层结构，以及在该双层结构设置的上电极，必要时，在衬底和双层铁电结构之间设置一绝缘层。铁电场效管是上述铁电电容器作为存储单元。按常规工艺，依次制备衬底、绝缘层、铁电双层结构和上电极。本发明设计的铁电电容器和铁电场效管可有效提高逻辑保持时间。