公开(公告)号：CN119438771A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411641200.5

申请日：2024-11-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  王兴龙 ,  胡宪宇 ,  松见康平 ,  胡笛

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明属于固态电介质材料测试技术领域，具体为一种铁电电容器超快电滞回线测量方法。本发明提出一种等效电路，能够求得线路中杂散电感以及杂散电感的分压随时间的变化；同时提出铁电电容器电滞回线校正方法；首先在标准电容或铁电电容器上施加不同极性电脉冲，通过高带宽示波器测量纳秒量级时间内电路中的分压，包括电路总电阻分压以及铁电电容器的分压；再通过校正杂散电感的影响，得到每一时刻的电路电流，进而得到铁电电容器的充放电电流和电畴反转电流，并在纳秒量级的时间范围内将它们转化为铁电电滞回线，从铁电电滞回线中得到不同周期下铁电极化强度和矫顽场大小。本发明通过建立等效电路模型准确地测出周期为纳秒量级的铁电电滞回线。

公开(公告)号：CN116471847A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310475822.4

申请日：2023-04-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  孙杰 ,  李一鸣 ,  胡笛

IPC: H10B69/00 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明属于存储技术领域，具体为一种面内超高密度铁电存储器阵列及其制备方法。本发明的面内密排读写铁电存储单元和电极呈周期性排列，电极通过三维互联导电柱引出，包括面外第一、二字线层的三维互联字线分别与第一、三导电柱阵列相连；包括面外第一、二位线层的三维互联位线分别与第二、四导电柱阵列相连；字线层和位线层内分布着平行电极，且相互垂直，形成交叉棒阵列，面内交点为铁电存储单元，位于面内相邻电极的间隙区域，可以进行高密度数据的读写。本发明的面内密排铁电存储器阵列能够提高存储密度，最高可达2F2，F为半导体制造的特征工艺尺寸，适用于制造超高密度存储器件，且制备简单、成本低。

公开(公告)号：CN119947118A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411796444.0

申请日：2024-12-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  胡笛 ,  李一鸣 ,  孙杰 ,  王兴龙

IPC: H10B53/30 ,  H10D1/68 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法。本发明铁电存储器件包括铁电衬底、以及位于该铁电衬底上铁电凸块、第一电极和第二电极；铁电凸块包含籽畴区域和铁电存储层区域；通过对存储器件单元的第一电极和第二电极之间施加电场，在存储器件单元内局部区域形成稳定存在且不易被擦除的籽畴区域，利用所述籽畴区域，降低铁电存储层区域电畴反转的成核能，使铁电存储层区域电畴的矫顽场大幅度降低，并提高铁电存储层区域电畴反转的稳定性和重复性，从而增强非易失铁电存储器件读写操作的稳定性和可重复性，降低非易失性铁电存储器的读写电压和功耗，提高存储器读写速度和寿命。

公开(公告)号：CN118600377A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410575099.1

申请日：2024-05-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  胡笛 ,  孙杰 ,  王兴龙 ,  李一鸣

IPC: C23C14/35 ,  H01L31/032 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18 ,  H10N70/00 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C14/24 ,  C23C14/04 ,  C23C14/48

Abstract: 本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种降低铌酸锂型铁电体器件电畴极化电场的方法。本发明方法包括：对待电极化处理的铌酸锂型铁电单晶基片的两电极之间区域进行半导电化处理，形成低电阻层；与电极接触的铌酸锂型铁电区域晶相绝缘化处理，形成高电阻层；在外加电压作用下，大部分电压施加至与电极接触的高电阻层内，局部电场增强，远远大于电极间平均电场，导致与电极接触区域的电畴首先成核反转。以上成核电畴能够在退极化场驱动下自行长大，长穿电极之间低电阻或低电场铁电区域，从而实现电极间整个电畴反转，平均极化电场可降低10倍，大大减小了铁电器件的极化电压，减少器件在施加高电压极化时所发生的电击穿现象。