全硅分布式反馈激光器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107332106B

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201710647867.X

    申请日:2017-08-01

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于激光技术领域,具体为一种全硅分布式反馈激光器。该激光器的谐振腔由直接在纳米晶薄膜上压印出布拉格光栅构成;同时纳米晶薄膜提供光增益,从而构成分布式反馈激光器。纳米晶薄膜由光刻胶HSQ经过热退火转化形成,之后进行高压氢钝化处理,使其具有和常规激光半导体材料相当的高光增益。布拉格光栅通过纳米压印技术制备,其光栅周期对应激光波长的二阶布拉格共振条件;并且激光在垂直于光栅表面方向具有很高的衍射效率,可以实现激光的垂直出射。本发明实现了一种全硅材料的片上激光器,该激光器结构紧凑、成本低,避免了基于半导体增益材料的硅基激光器与传统硅工艺不兼容的弊端。

    全硅分布式反馈激光器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107332106A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710647867.X

    申请日:2017-08-01

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于激光技术领域,具体为一种全硅分布式反馈激光器。该激光器的谐振腔由直接在纳米晶薄膜上压印出布拉格光栅构成;同时纳米晶薄膜提供光增益,从而构成分布式反馈激光器。纳米晶薄膜由光刻胶HSQ经过热退火转化形成,之后进行高压氢钝化处理,使其具有和常规激光半导体材料相当的高光增益。布拉格光栅通过纳米压印技术制备,其光栅周期对应激光波长的二阶布拉格共振条件;并且激光在垂直于光栅表面方向具有很高的衍射效率,可以实现激光的垂直出射。本发明实现了一种全硅材料的片上激光器,该激光器结构紧凑、成本低,避免了基于半导体增益材料的硅基激光器与传统硅工艺不兼容的弊端。

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