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公开(公告)号：CN104764732A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510163957.2
申请日：2015-04-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明属于微纳光子学和生物分析化学技术领域，具体为一种基于特异材料超吸收体的表面增强拉曼散射基底及其制备方法。本发明提供的表面增强拉曼散射基底为制作于衬底上的三层结构的光学特异材料超吸收体，分别为连续金属膜层、介质隔离层和不连续的金属膜层；所述不连续的金属膜层为具有纳米特征尺寸的相互分离的金属颗粒阵列；本发明基底的制备采用镀膜和热处理技术，低成本大面积地制备出整体形貌可控的金属颗粒阵列作为顶层耦合微纳天线，实现超宽谱光学吸收性质。本发明方法操作简单，可重复性好，成本低廉。本发明的表面增强拉曼散射基底在食品检验，环境监督，医疗检测，化学生物分析等领域有着至关重要的应用。
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公开(公告)号：CN103568441B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310503747.4
申请日：2013-10-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳光子技术领域，具体为一种低成本大面积薄膜超吸收体及其制备方法。该方法基于广泛使用的镀膜和热退火方法，制备出整体形貌可控的金属颗粒阵列或微纳网状结构作为三层或五层薄膜型人造特异材料超吸收体的耦合微纳天线，其为可以实现可见到红外波段的超吸收薄膜。该制备方法摆脱了昂贵且复杂的电子刻蚀工艺，可大面积低成本制作。该工艺操作简单，并且能与各种衬底兼容，在太阳能收集，热能循环，光化学催化增强，薄膜光电子器件等领域具有广泛的商用前景。
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公开(公告)号：CN103424791A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310354818.9
申请日：2013-08-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G02B5/02
Abstract: 本发明属于金属表面图形化技术领域，具体涉及一种基于表面等离子体共振的金属薄膜表面色散调制方法。本发明利用不同组分配比的合金薄膜介电常数的不同导致表面等离子体共振峰位随合金成分变化这一特点，实现了金属薄膜的色散特性的自由调节，是一种新型的非图形加工方法的表面色散调控的技术。合金薄膜的制备使用了磁控溅射双靶共溅射的方法，可灵活应用于各类光学器件衬底，具有很强的兼容性，成本低且较易获得。该方法可避免现行以金属薄膜图形化为主要方法的表面色散调控所带来的散射损耗，加工成本高，难度高等缺点，提高基于表面等离子体共振器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN103424791B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201310354818.9
申请日：2013-08-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G02B5/02
Abstract: 本发明属于金属表面图形化技术领域，具体涉及一种基于表面等离子体共振的金属薄膜表面色散调制方法。本发明利用不同组分配比的合金薄膜介电常数的不同导致表面等离子体共振峰位随合金成分变化这一特点，实现了金属薄膜的色散特性的自由调节，是一种新型的非图形加工方法的表面色散调控的技术。合金薄膜的制备使用了磁控溅射双靶共溅射的方法，可灵活应用于各类光学器件衬底，具有很强的兼容性，成本低且较易获得。该方法可避免现行以金属薄膜图形化为主要方法的表面色散调控所带来的散射损耗，加工成本高，难度高等缺点，提高基于表面等离子体共振器件的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103568441A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310503747.4
申请日：2013-10-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳光子技术领域，具体为一种低成本大面积薄膜超吸收体及其制备方法。该方法基于广泛使用的镀膜和热退火方法，制备出整体形貌可控的金属颗粒阵列或微纳网状结构作为三层或五层薄膜型人造特异材料超吸收体的耦合微纳天线，其为可以实现可见到红外波段的超吸收薄膜。该制备方法摆脱了昂贵且复杂的电子刻蚀工艺，可大面积低成本制作。该工艺操作简单，并且能与各种衬底兼容，在太阳能收集，热能循环，光化学催化增强，薄膜光电子器件等领域具有广泛的商用前景。
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公开(公告)号：CN102976328A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210568429.1
申请日：2012-12-24
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B33/021 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属半导体微电子、纳电子技术领域，具体为一种形貌可控的一维硅纳米材料的制备方法。该方法以硅（Si）和一氧化硅（SiO）混合粉末为原料，在较高温度和较低气压条件下，通过添加稀土元素镧（La）作为一种特别的气化调节剂来调节硅的一维纳米材料的形貌。该方法制备出的纳米材料的形貌主要有硅纳米线、硅纳米管和硅纳米链，通过调节镧粉在混合粉末中的比例，可以得到以上三种不同形貌的硅纳米材料。该调制方法工艺简单，操作简便，与现行使用设备的兼容性强，不用大幅提升成本，能够满足现代工业的基本要求。
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公开(公告)号：CN101284667B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810038215.7
申请日：2008-05-29
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明是一种硅纳米管的制备方法，该方法采用SiO和Si等混合粉末为起始原料，以少量稀土元素为间接催化剂，在较高温度、较低的气体压力条件下，使原料热蒸发并在合适的沉积温度下，依靠硅原子的堆积成核，制备了具有空心结构的硅纳米管。该方法制备硅纳米管工艺简单，设备廉价，并且硅纳米管的晶体结构完整，能够满足工业要求。硅纳米管的成功制备不仅为将来其广泛应用于纳米电子器件提供了实物基础，也进一步从实验角度验证了硅纳米管的理论研究。
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公开(公告)号：CN101284667A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810038215.7
申请日：2008-05-29
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明是一种硅纳米管的制备方法，该方法采用SiO和Si等混合粉末为起始原料，以少量稀土元素为间接催化剂，在较高温度、较低的气体压力条件下，使原料热蒸发并在合适的沉积温度下，依靠硅原子的堆积成核，制备了具有空心结构的硅纳米管。该方法制备硅纳米管工艺简单，设备廉价，并且硅纳米管的晶体结构完整，能够满足工业要求。硅纳米管的成功制备不仅为将来其广泛应用于纳米电子器件提供了实物基础，也进一步从实验角度验证了硅纳米管的理论研究。
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公开(公告)号：CN101280415A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810038216.1
申请日：2008-05-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种硅纳米线表面镀镍的方法，即采用3～5％HF剔除氧化物辅助生长的硅纳米线表面硅氧层，以氩离子溅射装置为溅射设备，在硅纳米线表面实现了镍的表面金属化过程，在一定温度下进行退火，得到了性能及结构更好的、由金属镍薄膜包覆单晶硅内核的纳米线结构。硅纳米线表面镀镍后其电阻率将大大降低，使得硅纳米线与金属电极能够实现有效欧姆接触，减小接触电阻，此外这种镀镍的高电导率纳米线在将来的互连技术中也有广阔的应用前景。
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