公开(公告)号：CN103424791A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310354818.9

申请日：2013-08-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江素华 ,  刘哲郡

IPC: G02B5/02

Abstract: 本发明属于金属表面图形化技术领域，具体涉及一种基于表面等离子体共振的金属薄膜表面色散调制方法。本发明利用不同组分配比的合金薄膜介电常数的不同导致表面等离子体共振峰位随合金成分变化这一特点，实现了金属薄膜的色散特性的自由调节，是一种新型的非图形加工方法的表面色散调控的技术。合金薄膜的制备使用了磁控溅射双靶共溅射的方法，可灵活应用于各类光学器件衬底，具有很强的兼容性，成本低且较易获得。该方法可避免现行以金属薄膜图形化为主要方法的表面色散调控所带来的散射损耗，加工成本高，难度高等缺点，提高基于表面等离子体共振器件的灵敏度。

公开(公告)号：CN103424791B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201310354818.9

申请日：2013-08-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江素华 ,  刘哲郡

IPC: G02B5/02

Abstract: 本发明属于金属表面图形化技术领域，具体涉及一种基于表面等离子体共振的金属薄膜表面色散调制方法。本发明利用不同组分配比的合金薄膜介电常数的不同导致表面等离子体共振峰位随合金成分变化这一特点，实现了金属薄膜的色散特性的自由调节，是一种新型的非图形加工方法的表面色散调控的技术。合金薄膜的制备使用了磁控溅射双靶共溅射的方法，可灵活应用于各类光学器件衬底，具有很强的兼容性，成本低且较易获得。该方法可避免现行以金属薄膜图形化为主要方法的表面色散调控所带来的散射损耗，加工成本高，难度高等缺点，提高基于表面等离子体共振器件的灵敏度。