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公开(公告)号：CN1257135A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99125713.8
申请日：1999-12-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及的是一种溅射制备氧化铟锡/金属/氧化铟锡多层薄膜结构透明电极的工艺。现有溅射工艺要加热,不适合有机衬底,而且基体温度过高,不利于产品性能的提高。本发明室温条件下溅射制备氧化铟锡/金属/氧化铟锡复合透明导电薄膜电极,该工艺的优点是:基片不需要加热,电极导电性好,有较好的透光性,有优良的表面平整度,薄膜电气性能稳定。该工艺适用于各种有机薄膜发光器件和其他高温耐受性较差的薄膜发光器件的透明电极制备。
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公开(公告)号：CN109545682B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201811350947.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明属于半导体微纳米结构制备技术领域，具体为一种基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法。本发明在Si(001)单晶衬底上，通过分子束外延设备或其他生长设备生长硅锗合金薄膜，然后利用模板图形转移和化学选择性刻蚀，得到高质量的硅锗微盘。本发明提供了一种简单易行经济适用的方法，来获得高质量的硅锗合金微盘。此发明解决了现有技术在硅衬底上直接制备硅基光学微盘的困难。该发明所制备的硅衬底上的硅锗微盘为硅基光电器件的发展提供了新思路。
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公开(公告)号：CN101798089A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010023058.X
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中没有利用金属作催化剂，也没有采用退火温度接近硅熔点的高温处理技术，因此将氧化硅纳米线应用于研制硅基光集成器件或硅基光电集成器件，本发明生长方法易于和常用的硅集成器件工艺达到兼容，也不会使集成器件中的电子器件，可能因金属沾污导致性能的退化。
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公开(公告)号：CN103903966A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410086982.0
申请日：2014-03-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/203
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02631
Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法。本发明利用斜切的Si(001)单晶片为衬底，经过化学清洗后，放入分子束外延设备中高温脱杂质，之后先外延生长一层硅的缓冲层，最后异质外延锗材料，从而得到超高密度的锗硅量子点。本发明提供了一种简单易行经济适用的方法，来获得高质量的超高密度量子点。此发明弥补了现有技术在制备高密度量子点材料时工艺繁琐且质量不高的问题。该发明所制备的高质量高密度的量子点材料将极大的提高基于量子点器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101798089B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010023058.X
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中没有利用金属作催化剂，也没有采用退火温度接近硅熔点的高温处理技术，因此将氧化硅纳米线应用于研制硅基光集成器件或硅基光电集成器件，本发明生长方法易于和常用的硅集成器件工艺达到兼容，也不会使集成器件中的电子器件，可能因金属沾污导致性能的退化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102173376A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110045698.5
申请日：2011-02-25
Applicant: 复旦大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法。本发明利用大直径聚苯乙烯纳米球，在Si衬底上自组装生成单层纳米球膜作为掩模，经过反应离子刻蚀，直流溅射金薄膜和选择性腐蚀等多次工艺后，最终得到二维六角点阵排列的小尺寸倒金字塔状纳米坑阵列。其纳米坑阵列的周期由最初选择的聚苯乙烯纳米球的直径决定。这种有序纳米坑阵列有望广泛应用于可控量子结构的生长、光子晶体制造、量子逻辑运算和磁性介质存储等领域。
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公开(公告)号：CN1157617C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN01132293.4
申请日：2001-11-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是利用光子晶体理论设计的一种新型平面光波导偏振器。现有波导偏振器由于传输损耗大，消光比低，所以在集成光学中并不实用。本发明用光子晶体理论先设计高反膜系，然后引入缺陷层，再调节缺陷层的参数，使得不同偏振态光的缺陷态对应的波长不同。本发明设计的平面波导偏振器可以是在硅衬底上用两套全同的多晶Si/非晶SiO2多层膜夹一层非晶SiO2芯层，利用不同偏振态的光对波导的透射率的显著不同而使自然光在经过很短的传输距离后就可获得很高的消光比，并且传输损耗很小。理论分析和实验结果都证明此种光波导偏振器不仅制备简单，能与硅平面集成工艺兼容，而且具有良好的传输特性和高的消光比。
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公开(公告)号：CN112382558B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202011142806.6
申请日：2020-10-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体量子结构技术领域，具体为一种基于微纳米金属/半导体肖特基结的可控量子结构制备方法。本发明方法，是在含有量子阱的半导体表面，制备金属微纳米结构，形成微纳米尺度的金属/半导体肖特基结，该微纳米肖特基结附近存在一个局域静电场，可以在量子阱层中对载流子产生一个横向限制，从而在半导体量子阱中得到新型可控的量子结构；所述量子结构包括量子点、量子线、量子环及其混合结构和阵列；本发明方法简单易行，在不损坏半导体晶体质量和不引入额外杂质的前提下,制备得到可控的半导体量子结构，甚至可用于制备复杂高质量的半导体量子结构体系，为新型半导体量子器件的制备提供了新途径。
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公开(公告)号：CN112382558A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011142806.6
申请日：2020-10-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体量子结构技术领域，具体为一种基于微纳米金属/半导体肖特基结的可控量子结构制备方法。本发明方法，是在含有量子阱的半导体表面，制备金属微纳米结构，形成微纳米尺度的金属/半导体肖特基结，该微纳米肖特基结附近存在一个局域静电场，可以在量子阱层中对载流子产生一个横向限制，从而在半导体量子阱中得到新型可控的量子结构；所述量子结构包括量子点、量子线、量子环及其混合结构和阵列；本发明方法简单易行，在不损坏半导体晶体质量和不引入额外杂质的前提下,制备得到可控的半导体量子结构，甚至可用于制备复杂高质量的半导体量子结构体系，为新型半导体量子器件的制备提供了新途径。
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公开(公告)号：CN1367397A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN02110871.4
申请日：2002-02-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属光通讯技术领域,具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论,研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系,缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本发明所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO2多层膜中引入多个缺陷态,利用缺陷态之间的相互耦合,使得器件的透射频谱加宽,满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容,具有良好的应用前景。
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