公开(公告)号：CN105280816A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510606679.3

申请日：2015-09-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 何孔多 ,  曾盼 ,  杨晓森 ,  区琼荣 ,  梁荣庆

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0529 ,  H01L51/052

Abstract: 本发明属于有机电子器件技术领域，具体为使用等离子体交联技术制备场效应晶体管介电层的方法。本发明首先在衬底上制备栅极或栅极与绝缘层；然后再利用等离子体增强化学气相沉积方法（PECVD），通过等离子体活化可以发生聚合反应的单体，在栅极上或介电层上生长出致密、超薄、交联的有机物介电层；再在薄膜上面制备半导体层；最后制作源极与漏极。其中，使用PECVD方法实现有机材料相互交联进而制备高度绝缘并且致密超薄的介电层。该方法简单方便，可以实现全有机材料的柔性电子器件，克服无机材料的不可弯折性。高度交联的薄膜绝缘性能好，可以实现柔性电子器件所需要的超薄介电层的制备；同时不溶于一般的有机溶剂，可以实现全溶液法制备有机场效应晶体管。