公开(公告)号：CN103928440A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410107226.1

申请日：2014-03-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  张远 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种集成电路铜互连扩散阻挡层及其备方法。本发明使用PEALD技术生长CoxN与Ru原子层，形成Ru-Co-N的交叠结构，代替传统的TaN/Ta结构，作为Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，其表达式为Ruy(CoxN)1-y；通过调节Ru与CoxN两者的比例，可以得到对Cu优秀的粘附能力和扩散阻挡能力。本发明可在高纵横比结构上生长出均匀非晶薄膜，可以减少工艺步骤与薄膜器件的整体厚度，可以改善对Cu的扩散阻挡与粘附性能，还可以提高铜互连的导电性能，为铜互连工艺提供了一种简单实用的可行性方案。

公开(公告)号：CN106757358A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611007174.6

申请日：2016-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  张远 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明属于半导体纳米技术领域，具体为单晶氮化铝（AlN）纳米管阵列的生长方法。本发明在低温条件下，使用ZnO纳米线阵列作为模板，使用原子层沉积镀膜（ALD）方法在ZnO纳米线上生长AlN单晶薄膜，生长温度设在200‑500℃之间，最后通过去除ZnO纳米线模板，得到排列整齐、管壁厚度均匀可控的单晶AlN纳米管阵列。本发明的优点是在低温条件下实现了AlN单晶纳米管阵列的生长，极大降低了对生长温度和对真空度的要求，其工艺简单，生长成本低。本发明在基于AlN的深紫外发光器件、压电器件、表面与体声波器件、场发射器件方面有着广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN106504980A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201611007128.6

申请日：2016-11-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  张远 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02518 ,  H01L21/02521

Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，具体为一种氮化铝（AlN）单晶薄膜的制备方法。本发明使用ZnO单晶基片或其他异质材料作为衬底，使用原子层沉积镀膜（ALD）方法生长AlN薄膜，把清洗好的衬底放入反应腔，反应腔温度设为250-500 oC，使用三甲基铝（TMA）和氨气（NH3）等作为反应前驱体，交替通入反应腔进行生长AlN薄膜。最终外延生长出非极性（100）方向的AlN单晶薄膜。本发明是在低温条件下实现了AlN材料的外延生长，极大降低生长温度和对真空度的要求，其工艺简单，减少了AlN单晶的生长成本，并可以与现有的半导体生长工艺兼容。本发明在基于AlN的深紫外发光器件、压电器件、表面与体声波器件、场发射器件、III-IV族氮化物器件的缓冲层等方面有着广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN103745971A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310701169.5

申请日：2013-12-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  张远 ,  耿阳 ,  朱尚斌 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为集成电路铜互连结构及其制备方法。本发明采用Ru-N-Ti结构代替传统的TaN/Ta结构作为扩散阻挡层/粘附层/仔晶层。使用原子层沉积镀膜（ALD）方法制备出Rux(TiN)y薄膜，x,y的取值范围是0.05-0.95，x与y之和为1。通过调节Ru与TiN两者的比例，可以得到对Cu优秀的粘附能力和扩散阻挡能力。本发明可在高纵横比结构上生长出均匀非晶薄膜，获得的Ru-N-Ti结构可同时作为Cu的扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，减少工艺步骤与薄膜器件的整体厚度，改善对Cu的扩散阻挡与粘附性能，提高铜互连的导电性能。

公开(公告)号：CN103325770A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310235819.1

申请日：2013-06-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  张远 ,  朱尚斌 ,  耿阳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种集成电路铜互连结构与制备方法。本发明提出一种新的Ru-N-Ta结构代替传统的TaN/Ta结构作为扩散阻挡层/粘附层/籽晶层。使用原子层沉积镀膜（ALD）方法制备出Rux(TaN)y薄膜，x，y的取值范围是0.05-0.95，x与y之和为1。通过调节Ru与TaN两者的比例，可以得到较好的Cu扩散阻挡能力和粘附能力。本发明的优点可在高深宽比结构上生长均匀非晶薄膜的特点，制备出Ru-N-Ta结构同时充当Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，大大减小薄膜厚度；可以改善Cu阻挡与粘附性能，减少工艺步骤，还可以提高铜互连的导电性能，为铜互连工艺提供了一种简单实用的可行性方案。