公开(公告)号：CN101975794B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010276530.0

申请日：2010-09-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 宗兆翔 ,  刘冉 ,  仇志军 ,  沈臻魁

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种适用于金属性薄膜材料的3omega热导测量方法。该方法基于改进的解析模型，利用3omega测试结构与频率相关的热学响应特性，通过实验拟合手段得到与一组频率相关的热流比值。从该值推导出实验材料的热阻，并最终得到被测样品的热导值。利用本发明的热导测量方法，可以提供快速准确的金属薄膜热导信息，大大扩展了3omega电学测量技术的适用范围。本发明适用于纳米量级薄膜的测量，样品结构简单，避免原有电学测试方法中的复杂工艺结构，因此可作为金属薄膜材料热学参量的快速表征手段，在微电子工业领域中有其应用前景。

公开(公告)号：CN101937871A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010253667.4

申请日：2010-08-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈臻魁 ,  宗兆翔 ,  刘冉

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种构造低介电常数介质材料表面形貌图的方法。本发明利用纳米压印技术直接压印加工低介电常数介质材料，实现该介质材料的表面图形化，以便在集成电路互连制造工艺中应用。相比于传统光刻、刻蚀技术实现介质材料图形化的方法而言，采用本发明的图形化技术，简化了互连制造工艺步骤，大大地降低了生产成本。

公开(公告)号：CN101975794A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010276530.0

申请日：2010-09-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 宗兆翔 ,  刘冉 ,  仇志军 ,  沈臻魁

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种适用于金属性薄膜材料的3omega热导测量方法。该方法基于改进的解析模型，利用3omega测试结构与频率相关的热学响应特性，通过实验拟合手段得到与一组频率相关的热流比值。从该值推导出实验材料的热阻，并最终得到被测样品的热导值。利用本发明的热导测量方法，可以提供快速准确的金属薄膜热导信息，大大扩展了3omega电学测量技术的适用范围。本发明适用于纳米量级薄膜的测量，样品结构简单，避免原有电学测试方法中的复杂工艺结构，因此可作为金属薄膜材料热学参量的快速表征手段，在微电子工业领域中有其应用前景。

公开(公告)号：CN101905864A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010252919.1

申请日：2010-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈臻魁 ,  宗兆翔 ,  刘冉

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种低介电常数介质薄膜的纳米压印金属图形转移的方法。本发明利用带有金属图形的模具纳米压印低介电常数介质薄膜，实现金属图形从模具到低介电常数介质薄膜的转移，从而达到在集成电路互连制造工艺中应用。相比于传统光刻、刻蚀和淀积技术实现金属互连而言，本发明简化了互连制造工艺步骤，大大地降低了生产成本。