公开(公告)号：CN108017058A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711155227.3

申请日：2017-11-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张驰 ,  周文捷 ,  马磊 ,  张宇宸 ,  陆明

IPC: C01B33/023 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/59

CPC classification number: C01B33/023 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/59

Abstract: 本发明具体为一种以高压氢钝化提高光增益的硅纳米晶的制备方法。本发明借助半导体电子电路领域较为常见的氢钝化原理，以氢气为材料处理的基本原料，并以适当加温和高圧密封为手段，实现材料钝化。硅纳米晶作为一种全硅发光材料，其制备过程会产生大量缺陷中心。高压氢钝化能够有效对发光材料中的部分缺陷进行饱和与消除，减少非辐射复合中心，从而实现显著增加纳米晶体硅发光强度以及光增益的效果，提高光增益的纳晶硅材料可用于新型硅激光器的研制。本发明提出了一种不同于传统高温氢钝化以及等离子体氢钝化的氢钝化方法，该工艺不需维持高温，也不需经过等离子体放电过程，对材料发光增强效果显著，并且成本低廉、操作简单、安全可控。