公开(公告)号：CN102509014A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110349747.4

申请日：2011-11-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包微宁 ,  秦亚杰

IPC: G06F19/00 ,  G06K9/00

Abstract: 本发明属于医疗保健技术领域，具体涉及一种可用户自识别的家庭健康系统及其识别方法。本发明系统由前端健康设备（如血压计、血氧仪）和信息处理后端（如平板电脑）组成。前端设备除了基本健康功能模块以外还包括指纹获取、射频收发及显示模块；后端则有射频收发、指纹识别以及存储器等模块。前端获取指纹后通过无线发送至后端进行识别。若与指纹存储器中现有指纹之一相同则后端将相应用户信息无线反馈至前端同时选择对应数据存储器进行管理；若指纹存储器中无相同指纹则反馈至前端提醒用户创建新用户信息。本发明将指纹识别与存储器置于后端，降低前端设备成本，有助于健康设备的普及。

公开(公告)号：CN102412301A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110309367.8

申请日：2011-10-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包微宁 ,  曹成伟 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种垂直结构的纳米线隧穿场效应晶体管的制备方法。在水浴环境下生长所需的ZnO纳米线，不需要高温高压环境，溶液配置简单，生长方便，价格低廉，并且直接将纳米线构成垂直结构的MOS器件，可以避免后期的纳米线处理。本发明结构简单，制造方便，成本较低，而且利用网格可以使生长的纳米线沟道与以此制造的垂直结构的MOSFET阵列排布可控，便于直接完成大规模MOSFET阵列的制造。