增强质谱仪信号
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117995644A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311447647.4

    申请日:2023-11-01

    摘要: 提供一种用于操作质谱仪的方法,具有撇除器和将电势施加到撇除器的电路,方法包括获得样品的初始质谱。测量所获得的初始质谱的值,该值指示一个或多个离子种类的离子束强度。将变化的DC电势施加到该撇除器以识别可操作电势,DC电势变化,直到指示一个或多个离子种类的离子束强度的该值改变预定量。提供输出,该输出包括有可操作电势施加到撇除器的质谱。又一方法包括获得样品的初始质谱。测量所获得的初始质谱的值,该值指示一个或多个离子种类的离子束强度。改变该质谱仪内的压力以识别可操作压力,改变该压力,直到指示一个或多个离子种类的离子束强度的值改变预定量。提供输出,该输出包括质谱仪内的该压力处于可操作压力的质谱。

    校准质谱仪的方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107731654B

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201710692151.1

    申请日:2017-08-14

    IPC分类号: H01J49/42 H01J49/00

    摘要: 一种用于校准质谱仪的方法,该质谱仪包括离子源、作为第一四极杆的第一质量分析仪、第二质量分析仪和用以检测离子的检测构件。第一四极杆在选择具有过滤器窗口宽度w的质量过滤器窗口中的质量的质量选择模式中可操作为预选择质量分析仪,其中RF电压和DC电压施加到第一四极杆的电极,RF电压的振幅为选定质量m和过滤器窗口宽度w的第一函数RF(m,w),且DC电压为选定质量m和过滤器窗口宽度w的第二函数DC(m,w)。该方法包括以下步骤:i)在第一时间t1校准第二质量分析仪,ii)在比在质量分析模式中操作第二质量分析仪的第一时间t1稍后的第二时间t2处在选择具有过滤器窗口宽度wcal的质量过滤器窗口中的质量的质量选择模式中校准第一四极杆。

    校准质谱仪的方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107731654A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201710692151.1

    申请日:2017-08-14

    IPC分类号: H01J49/42 H01J49/00

    摘要: 一种用于校准质谱仪的方法,该质谱仪包括离子源、作为第一四极杆的第一质量分析仪、第二质量分析仪和用以检测离子的检测构件。第一四极杆在选择具有过滤器窗口宽度w的质量过滤器窗口中的质量的质量选择模式中可操作为预选择质量分析仪,其中RF电压和DC电压施加到第一四极杆的电极,RF电压的振幅为选定质量m和过滤器窗口宽度w的第一函数RF(m,w),且DC电压为选定质量m和过滤器窗口宽度w的第二函数DC(m,w)。该方法包括以下步骤:i)在第一时间t1校准第二质量分析仪,ii)在比在质量分析模式中操作第二质量分析仪的第一时间t1稍后的第二时间t2处在选择具有过滤器窗口宽度wcal的质量过滤器窗口中的质量的质量选择模式中校准第一四极杆。

    用于确定光谱中的峰强度或峰偏移的方法和系统

    公开(公告)号:CN114127540B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202080051603.8

    申请日:2020-07-30

    IPC分类号: G01N21/27 G01J3/18 G01J3/28

    摘要: 一种确定光谱中的峰强度的方法,所述方法包括:通过将所述光谱成像到检测器阵列(13)上产生光谱值的二维阵列(20);选择光谱值的所述阵列中的第一二维子阵列(21),使得所述子阵列包含所述光谱的第一峰(1),所述第一峰具有预期位置;在所述第一子阵列(21)内内插所述光谱值以产生第一内插子阵列;通过使用所述第一内插子阵列确定所述第一峰(1)的实际位置;通过使用所述第一峰的所述实际位置和所述预期位置确定偏移;通过使用所述偏移来调整所述光谱的第二峰(2)的预期位置;选择光谱值的所述阵列中的第二二维子阵列(22),使得所述第二子阵列包含所述第二峰(2),所述第二峰具有调整后的预期位置;以及在所述第二子阵列(22)内使用内插光谱值以产生所述第二峰的峰强度值。

    用于光谱仪的等离子体源室
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113661387A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202080027167.0

    申请日:2020-04-08

    IPC分类号: G01N21/73 G01J3/443 H05H1/46

    摘要: 一种用于光谱仪的等离子体源室(10),包含用于容纳等离子体源(31)的内壳体(11)和容纳所述内壳体的外壳体(12)。所述外壳体(12)包含在第一壁中的至少一个外进气口开口(21)以及在第二壁中的至少一个外排气口开口(22)。所述内壳体的壁和所述外壳体的壁界定了间隙(25),从而允许第一空气流(1)穿过所述内壳体和所述外壳体之间的所述间隙(25)从所述至少一个外进气口开口(21)到所述至少一个外排气口开口(22)。所述内壳体(11)包含在第一壁中的至少一个内进气口开口(23)和在第二壁中的至少一个内排气口开口(24),以允许第二空气流(2)穿过所述内壳体从所述至少一个内进气口开口到所述至少一个内排气口开口。因此,实现了对等离子体源室外表面的改进冷却。

    二维光谱中的峰确定
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114127540A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202080051603.8

    申请日:2020-07-30

    IPC分类号: G01N21/27

    摘要: 一种确定光谱中的峰强度的方法,所述方法包括:通过将所述光谱成像到检测器阵列(13)上产生光谱值的二维阵列(20);选择光谱值的所述阵列中的第一二维子阵列(21),使得所述子阵列包含所述光谱的第一峰(1),所述第一峰具有预期位置;在所述第一子阵列(21)内内插所述光谱值以产生第一内插子阵列;通过使用所述第一内插子阵列确定所述第一峰(1)的实际位置;通过使用所述第一峰的所述实际位置和所述预期位置确定偏移;通过使用所述偏移来调整所述光谱的第二峰(2)的预期位置;选择光谱值的所述阵列中的第二二维子阵列(22),使得所述第二子阵列包含所述第二峰(2),所述第二峰具有调整后的预期位置;以及在所述第二子阵列(22)内使用内插光谱值以产生所述第二峰的峰强度值。

    在光谱仪中使用的等离子体源室及光谱仪

    公开(公告)号:CN211350573U

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202020277227.1

    申请日:2020-03-09

    IPC分类号: H01J49/02 H01J49/10 G01N21/01

    摘要: 本实用新型提供一种在光谱仪中使用的等离子体源室,包含用于容纳等离子体源的内壳体和容纳所述内壳体的外壳体。所述外壳体包含在第一壁中的至少一个外进气口开口以及在第二壁中的至少一个外排气口开口。所述内壳体的壁和所述外壳体的壁界定了间隙,从而允许第一空气流穿过所述内壳体和所述外壳体之间的所述间隙从所述至少一个外进气口开口到所述至少一个外排气口开口。所述内壳体包含在第一壁中的至少一个内进气口开口以及在第二壁中的至少一个内排气口开口,以允许第二空气流穿过所述内壳体从所述至少一个内进气口开口到所述至少一个内排气口开口。因此,实现了对等离子体源室外表面的改进冷却。本实用新型还提供一种光谱仪。