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发明公开
霍尔元件的制造方法和磁存储器元件审中-实审

公开(公告)号：CN119054087A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202380029950.4

申请日：2023-03-10

Applicant: 地方独立行政法人神奈川县立产业技术综合研究所 , 住友化学株式会社

Inventor： 东正树 , 重松圭 , 李邱穆

IPC: H01L29/82 , H10B61/00

Abstract: 本发明涉及霍尔元件的制造方法和磁存储器元件。霍尔元件(18)的制造方法包括：在具有钙钛矿结构且由以伪立方表示的晶格常数为#imgabs0##imgabs1#的化合物构成的基板(12)上形成钙钛矿型磁性体层(14)的工序、在钙钛矿型磁性体层(14)上形成含有SrTiO3的绝缘体层(16)的工序、在绝缘体层(16)上形成含有含有InSb、GaAs、InAs或其固溶体的霍尔元件(18)的工序。

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