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公开(公告)号：CN119054087A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380029950.4
申请日：2023-03-10
Applicant: 地方独立行政法人神奈川县立产业技术综合研究所 , 住友化学株式会社
Abstract: 本发明涉及霍尔元件的制造方法和磁存储器元件。霍尔元件(18)的制造方法包括：在具有钙钛矿结构且由以伪立方表示的晶格常数为#imgabs0##imgabs1#的化合物构成的基板(12)上形成钙钛矿型磁性体层(14)的工序、在钙钛矿型磁性体层(14)上形成含有SrTiO3的绝缘体层(16)的工序、在绝缘体层(16)上形成含有含有InSb、GaAs、InAs或其固溶体的霍尔元件(18)的工序。
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公开(公告)号：CN114423820A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080052767.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 地方独立行政法人神奈川县立产业技术综合研究所 , 佳能株式会社
Abstract: 本发明旨在通过将负热膨胀性材料添加到热塑性树脂并热加工时通过抑制负热膨胀性质的功能劣化而获得具有低的热膨胀性质的树脂组合物。本发明提供包括具有负热膨胀性质的金属氧化物颗粒和热塑性树脂的树脂组合物。颗粒的负热膨胀性归因于由构成金属之间的电子转移驱动的晶相转变，并且在颗粒和热塑性树脂之间形成抑制电子转移的共价保护层。
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公开(公告)号：CN114423820B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080052767.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 地方独立行政法人神奈川县立产业技术综合研究所 , 佳能株式会社
Abstract: 本发明旨在通过将负热膨胀性材料添加到热塑性树脂并热加工时通过抑制负热膨胀性质的功能劣化而获得具有低的热膨胀性质的树脂组合物。本发明提供包括具有负热膨胀性质的金属氧化物颗粒和热塑性树脂的树脂组合物。颗粒的负热膨胀性归因于由构成金属之间的电子转移驱动的晶相转变，并且在颗粒和热塑性树脂之间形成抑制电子转移的共价保护层。
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