公开(公告)号：CN107533973A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680022269.7

申请日：2016-02-17

申请人： 图尔库大学

发明人： M·库兹明 ,  P·劳卡宁 ,  Y·穆罕默德 ,  M·图奥米宁 ,  J·达尔 ,  V·图奥米宁 ,  J·米克莱 ,  M·蓬克基宁 ,  K·科科

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02255

摘要： 用于在半导体的衬底(1)上形成外部氧化物或外部氮化物层(6)的方法，包括提供具有氧化的或氮化的表面层(3)的半导体衬底(1)；在该氧化的或氮化的表面层上供给外部元素(5)；以及将该氧化的或氮化的表面层(3)保持于升高的温度，从而分别通过初始存在于该氧化的或氮化的表面层(3)中的氧或氮氧化或氮化至少部分该外部元素。