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公开(公告)号：CN116530019A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180081023.8
申请日：2021-11-19
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈学忠 , M·C·希尔维斯特 , 徐顺天 , 刘其俊 , F·L·李 , 杨智超 , Y·米格诺特 , T·斯坦达特
IPC: H03K19/18
Abstract: 本发明提出一种电阻切换RAM逻辑器件。该设备包括一对电阻切换RAM单元，该对电阻切换RAM单元可被独立地编程为至少低电阻状态(LRS)或高电阻状态(HRS)。电阻切换RAM逻辑器件可还包括电连接到该对电阻切换RAM单元的共享输出节点。可以根据电阻切换RAM单元中的每一个的经编程的电阻状态来确定逻辑输出。
