公开(公告)号：CN114207779B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202080055445.3

申请日：2020-07-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·贾米森 ,  安藤崇志 ,  J·麦西 ,  E·卡蒂尔

IPC: H01L21/02 ,  H10N97/00

Abstract: 后段制程(BEOL)兼容金属‑绝缘体‑金属的片上解耦电容器(MMCAP)。该BEOL兼容处理包括在形成顶部电极(302)之前用于在MIM堆叠的绝缘体层(102)中引入非晶体到立方体的相变的热处理。形成底部电极层(104)，并且在底部电极层(104)的表面上形成绝缘体层(102)。绝缘体层(102)可以包括非晶电介质材料。热处理绝缘体层(102)，使得非晶电介质材料经历立方相变，从而形成立方相电介质材料。在绝缘体层(102)的立方相电介质材料的表面上形成顶部电极层(302)。

公开(公告)号：CN1846313B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200480025650.6

申请日：2004-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·L·斯特根 ,  V·库 ,  K·H·翁 ,  李瑛 ,  V·纳拉亚南 ,  C·小卡布拉尔 ,  P·贾米森

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/4763

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/4958

Abstract: 提供了一种用于高性能器件的金属替换栅极的结构和方法。首先在半导体衬底(240)上提供的蚀刻停止层(250)上形成牺牲栅极结构(260)。在所述牺牲栅极结构(300)的侧壁上提供一对隔离物(400)。然后去除所述牺牲栅极结构(300)，形成开口(600)。然后，在所述隔离物(400)之间的所述开口(600)中形成金属栅极(1000)，所述金属栅极(1000)包括例如钨的金属的第一层(700)，例如氮化钛的扩散阻挡层(800)，以及例如钨的金属的第二层(900)。

公开(公告)号：CN114207779B9

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202080055445.3

申请日：2020-07-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·贾米森 ,  安藤崇志 ,  J·麦西 ,  E·卡蒂尔

IPC: H01L21/02 ,  H10N97/00

Abstract: 后段制程(BEOL)兼容金属-绝缘体-金属的片上解耦电容器(MMCAP)。该BEOL兼容处理包括在形成顶部电极(302)之前用于在MIM堆叠的绝缘体层(102)中引入非晶体到立方体的相变的热处理。形成底部电极层(104)，并且在底部电极层(104)的表面上形成绝缘体层(102)。绝缘体层(102)可以包括非晶电介质材料。热处理绝缘体层(102)，使得非晶电介质材料经历立方相变，从而形成立方相电介质材料。在绝缘体层(102)的立方相电介质材料的表面上形成顶部电极层(302)。

公开(公告)号：CN114207779A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055445.3

申请日：2020-07-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·贾米森 ,  安藤崇志 ,  J·麦西 ,  E·卡蒂尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L49/02

Abstract: 后段制程(BEOL)兼容金属‑绝缘体‑金属的片上解耦电容器(MMCAP)。该BEOL兼容处理包括在形成顶部电极(302)之前用于在MIM堆叠的绝缘体层(102)中引入非晶体到立方体的相变的热处理。形成底部电极层(104)，并且在底部电极层(104)的表面上形成绝缘体层(102)。绝缘体层(102)可以包括非晶电介质材料。热处理绝缘体层(102)，使得非晶电介质材料经历立方相变，从而形成立方相电介质材料。在绝缘体层(102)的立方相电介质材料的表面上形成顶部电极层(302)。

公开(公告)号：CN1846313A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480025650.6

申请日：2004-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·L·斯特根 ,  V·库 ,  K·H·翁 ,  李瑛 ,  V·纳拉亚南 ,  C·小卡布拉尔 ,  P·贾米森

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/4763

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/4958

Abstract: 提供了一种用于高性能器件的金属替换栅极的结构和方法。首先在半导体衬底(240)上提供的蚀刻停止层(250)上形成牺牲栅极结构(260)。在所述牺牲栅极结构(300)的侧壁上提供一对隔离物(400)。然后去除所述牺牲栅极结构(300)，形成开口(600)。然后，在所述隔离物(400)之间的所述开口(600)中形成金属栅极(1000)，所述金属栅极(1000)包括例如钨的金属的第一层(700)，例如氮化钛的扩散阻挡层(800)，以及例如钨的金属的第二层(900)。