Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN114175291A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080055127.7
申请日：2020-07-31
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： P·哈希米 , B·多里斯 , E·奥沙利文 , M·F·洛法罗
IPC: H01L43/12
Abstract: 提供一种避免由于电偶效应引起的高电阻的存储器结构。通过提供均匀结构的T形底部电极构造(即，单件)来减小和/或消除高电阻。T形底电极结构包括窄基底部分和较宽的支架部分。T形底电极结构的支架部分具有平面的最顶表面，MTJ柱与该最顶表面形成界面。
