-
公开(公告)号：CN116438628A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180076269.6
申请日：2021-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种方法可包括获得晶片的特性数据。特性数据可对应于处于处理状态的晶片，并且可包括晶片的一组应力值。该晶片可以包括前侧、与前侧相对的后侧、以及一组区域。该一组应力值可以包括对应于第一区域的第一应力值。在处理状态下，可以在晶片的前侧上完成一个或多个前侧处理。该方法可以包括确定第一应力值超过应力阈值并生成补偿图。补偿图可以标识用于形成一个或多个沟槽的一个或多个区域。该方法可以包括基于补偿图，发起在第一区域中的晶片的后侧上形成第一沟槽。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
