公开(公告)号：CN110235224A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880008882.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·梅赫塔 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  毕振兴 ,  T·德瓦拉詹 ,  M·桑卡拉潘迪安

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种垂直传输鳍场效应晶体管(VT FinFET)，包括衬底的表面上的一个或多个垂直鳍；在衬底上的L形或U形间隔槽，邻接所述一个或多个垂直鳍中的至少一个；和栅极介电层，位于所述一个或多个垂直鳍的至少一个和所述L形或U形间隔槽的侧壁上。

公开(公告)号：CN110235224B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201880008882.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·梅赫塔 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  毕振兴 ,  T·德瓦拉詹 ,  M·桑卡拉潘迪安

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种垂直传输鳍场效应晶体管(VT FinFET)，包括衬底的表面上的一个或多个垂直鳍；在衬底上的L形或U形间隔槽，邻接所述一个或多个垂直鳍中的至少一个；和栅极介电层，位于所述一个或多个垂直鳍的至少一个和所述L形或U形间隔槽的侧壁上。