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公开(公告)号：CN101405834B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200780009519.4
申请日：2007-06-20
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 本发明提供了包含电子器件的芯片，例如多芯片陶瓷模块(MCM)(10)，所述多芯片陶瓷模块(10)包括在基底15上的多个芯片(1Ia-I Ii)，使用可再加工的组合物(16)来底部填充芯片，所述可再加工的组合物(16)允许从装置去除或替换一个或多个芯片。所述可再加工的组合物包含基础树脂与直链可固化成分或优选的直链可固化成分的组合，所述基础树脂是非交联性的并形成基体，所述可固化成分是交联性的并在固化时在所述基础树脂基体中形成交联的域。使用适宜的交联催化剂例如Pt，和可选的填充物优选硅烷表面处理的硅。优选的基础树脂是直链聚二甲基硅氧烷并且优选的可固化成分是乙烯基封端的直链聚二甲基硅氧烷和氢封端的直链聚二甲基硅氧烷。
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公开(公告)号：CN101405834A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009519.4
申请日：2007-06-20
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 本发明提供了包含电子器件的芯片，例如多芯片陶瓷模块(MCM)(10)，所述多芯片陶瓷模块(10)包括在基底15上的多个芯片(1 Ia－I Ii)，使用可再加工的组合物(16)来底部填充芯片，所述可再加工的组合物(16)允许从装置去除或替换一个或多个芯片。所述可再加工的组合物包含基础树脂与直链可固化成分或优选的直链可固化成分的组合，所述基础树脂是非交联性的并形成基体，所述可固化成分是交联性的并在固化时在所述基础树脂基体中形成交联的域。使用适宜的交联催化剂例如Pt，和可选的填充物优选硅烷表面处理的硅。优选的基础树脂是直链聚二甲基硅氧烷并且优选的可固化成分是乙烯基封端的直链聚二甲基硅氧烷和氢封端的直链聚二甲基硅氧烷。
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公开(公告)号：CN1160780C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN98105905.8
申请日：1998-03-27
申请人： 国际商业机器公司
发明人： D·L·爱德华兹 , M·G·科特尼 , A·S·卡马伦诺 , S·S·小特费兹 , J·T·科芬 , M·J·小伊尔斯沃施 , L·S·高曼 , S·伊鲁范提 , F·L·庞恩皮奥 , W·E·赛伯林斯基 , R·A·谢利夫 , H·T·托尔
CPC分类号： H01L23/10 , H01L21/50 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/09701 , H01L2924/15312 , H01L2924/16152
摘要： 一种为半导体衬底和芯片载体提供密封带的新方案，更准确地说，一种利用多层金属密封向在芯片载体上的芯片提供保护的结构和方法。这种多层金属密封既增长了芯片的气密寿命，又提供了环境保护。在最佳实施例中，多层金属密封带具有三层焊料夹层结构，它有低成本、高可靠性、使模块气密密封的优点。这种焊料夹层结构有一层高熔点的厚的焊料内核，和两层低熔点的薄的焊料层，其中薄的焊料层可以有相同的也可以有不同的熔点。
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公开(公告)号：CN1226746A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：CN98105905.8
申请日：1998-03-27
申请人： 国际商业机器公司
发明人： D·L·爱德华兹 , M·G·科特尼 , A·S·卡马伦诺 , S·S·小特费兹 , J·T·科芬 , M·J·小伊尔斯沃施 , L·S·高曼 , S·伊鲁范提 , F·L·庞恩皮奥 , W·E·赛伯林斯基 , R·A·谢利夫 , H·T·托尔
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L23/10 , H01L21/50 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/09701 , H01L2924/15312 , H01L2924/16152
摘要： 一种为半导体衬底和芯片载体提供密封带的新方案,更准确地说,一种利用多层金属密封向在芯片载体上的芯片提供保护的结构和方法。这种多层金属密封既增长了芯片的气密寿命,又提供了环境保护。在最佳实施例中,多层金属密封带具有三层焊料夹层结构,它有低成本、高可靠性、使模块气密密封的优点。这种焊料夹层结构有一层高熔点的厚的焊料内核,和两层低熔点的薄的焊料层,其中薄的焊料层可以有相同的也可以有不同的熔点。
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