公开(公告)号：CN102640314A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080055227.6

申请日：2010-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 刘小虎 ,  D.纽恩斯 ,  L.克鲁辛-伊-鲍姆 ,  G.J.马丁纳 ,  B.G.埃尔姆格林 ,  陈冠能

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01L49/00 ,  H01C10/103

Abstract: 用于将压电材料产生的应力耦合到集成电路的致动器件的耦合结构包括：形成在压电(PE)材料和所述致动器件周围的刚硬的刚性体结构，所述致动器件包括具有取决于施加至其上的压力的电阻的压阻(PR)材料；和形成在PE材料和PR材料周围的软的缓冲结构，所述缓冲结构设置在所述PE及PR材料与所述刚性体结构之间，其中对于所述PE和PR材料形成于其上的基底，所述刚性体结构夹住所述PE和PR材料两者，且其中所述软的缓冲结构允许所述PE材料相对于所述PR材料运动的自由，由此将由向所述PE材料施加的电压产生的应力耦合到所述PR材料以改变所述PR材料的电阻。

公开(公告)号：CN110622313B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201880031930.X

申请日：2018-06-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K.布鲁 ,  D.纽恩斯 ,  金世荣 ,  T.S.格肖恩 ,  T.K.托德罗夫

IPC: H01L27/12

Abstract: 提出了一种用于在电阻状态之间进行对称调制的记忆性结构的制造方法。该方法包括在绝缘基板上形成第一电极和第二电极，形成与第一电极和第二电极接触的阳极，在阳极上方形成离子导体，在离子导体上方形成与阳极相同材料的阴极，在阴极上形成第三电极，使离子能够在阳极和阴极之间双向传输，从而调节记忆性结构的电阻，阳极和阴极由具有离子浓度依赖性的导电性的亚稳混合导电材料形成。

公开(公告)号：CN110622313A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880031930.X

申请日：2018-06-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K.布鲁 ,  D.纽恩斯 ,  金世荣 ,  T.S.格肖恩 ,  T.K.托德罗夫

IPC: H01L27/12

Abstract: 提出了一种用于在电阻状态之间进行对称调制的记忆性结构的制造方法。该方法包括在绝缘基板上形成第一电极和第二电极，形成与第一电极和第二电极接触的阳极，在阳极上方形成离子导体，在离子导体上方形成与阳极相同材料的阴极，在阴极上形成第三电极，使离子能够在阳极和阴极之间双向传输，从而调节记忆性结构的电阻，阳极和阴极由具有离子浓度依赖性的导电性的亚稳混合导电材料形成。

公开(公告)号：CN102640314B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080055227.6

申请日：2010-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 刘小虎 ,  D.纽恩斯 ,  L.克鲁辛-伊-鲍姆 ,  G.J.马丁纳 ,  B.G.埃尔姆格林 ,  陈冠能

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01L49/00 ,  H01C10/103

Abstract: 用于将压电材料产生的应力耦合到集成电路的致动器件的耦合结构包括：形成在压电(PE)材料和所述致动器件周围的刚硬的刚性体结构，所述致动器件包括具有取决于施加至其上的压力的电阻的压阻(PR)材料；和形成在PE材料和PR材料周围的软的缓冲结构，所述缓冲结构设置在所述PE及PR材料与所述刚性体结构之间，其中对于所述PE和PR材料形成于其上的基底，所述刚性体结构夹住所述PE和PR材料两者，且其中所述软的缓冲结构允许所述PE材料相对于所述PR材料运动的自由，由此将由向所述PE材料施加的电压产生的应力耦合到所述PR材料以改变所述PR材料的电阻。