电路的内部电荷转移
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102224677B

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN200980146312.0

    申请日:2009-09-09

    CPC classification number: H03K19/0016

    Abstract: 本发明使诸如数字电路之类的电路能够在睡眠模式及正常模式之间快速转变。本发明利用芯片内部电荷转移操作来使电路进入快速睡眠。本发明减少了外部功率的涉入,而且本发明通过将电荷转移限于电路内来加速睡眠模式转变时间。快速睡眠及快速唤醒使系统的功率管理更有效。此功能性还最大化了功率性能并提供了能量效率更高的计算架构。

    电路的内部电荷转移
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102224677A

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN200980146312.0

    申请日:2009-09-09

    CPC classification number: H03K19/0016

    Abstract: 本发明使诸如数字电路之类的电路能够在睡眠模式及正常模式之间快速转变。本发明利用芯片内部电荷转移操作来使电路进入快速睡眠。本发明减少了外部功率的涉入,而且本发明通过将电荷转移限于电路内来加速睡眠模式转变时间。快速睡眠及快速唤醒使系统的功率管理更有效。此功能性还最大化了功率性能并提供了能量效率更高的计算架构。

    伪高速缓冲存储器系统和方法

    公开(公告)号:CN101739355B

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN200910208362.9

    申请日:2009-11-12

    CPC classification number: G06F12/0897 G06F12/0828 G06F12/0833 G06F2212/621

    Abstract: 具体地,在本发明中,可以将高速缓冲存储器单元指定为用于共同层级之内的另一高速缓冲存储器单元的伪高速缓冲存储器单元。例如,在层级的高速缓存级L2上的高速缓冲存储器单元“X”处出现高速缓存不命中的情况下,向高速缓存级L3(外部)上的高速缓冲存储器单元以及高速缓存级L2上的一个或多个其它高速缓冲存储器单元发送请求。L2级高速缓冲存储器单元将命中或不命中作为搜索结果返回。它们通常并不搜索L3,甚至也不将L3结果写回(例如,如果结果是不命中)。就此来说,如果所有的L2不命中,仅仅将该请求的直接源头与L3结果一起写回。如此,其它L2级高速缓冲存储器单元将原始的L2高速缓冲存储器单元作为伪高速缓存来服务。

    伪高速缓冲存储器系统和方法

    公开(公告)号:CN101739355A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200910208362.9

    申请日:2009-11-12

    CPC classification number: G06F12/0897 G06F12/0828 G06F12/0833 G06F2212/621

    Abstract: 具体地,在本发明中,可以将高速缓冲存储器单元指定为用于共同层级之内的另一高速缓冲存储器单元的伪高速缓冲存储器单元。例如,在层级的高速缓存级L2上的高速缓冲存储器单元“X”处出现高速缓存不命中的情况下,向高速缓存级L3(外部)上的高速缓冲存储器单元以及高速缓存级L2上的一个或多个其它高速缓冲存储器单元发送请求。L2级高速缓冲存储器单元将命中或不命中作为搜索结果返回。它们通常并不搜索L3,甚至也不将L3结果写回(例如,如果结果是不命中)。就此来说,如果所有的L2不命中,仅仅将该请求的直接源头与L3结果一起写回。如此,其它L2级高速缓冲存储器单元将原始的L2高速缓冲存储器单元作为伪高速缓存来服务。

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