公开(公告)号：CN113056752A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201980076319.3

申请日：2019-11-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·布林克 ,  H·巴罗斯基 ,  A·弗里斯齐

IPC: G06N10/00

Abstract: 量子位调谐装置的一个实施例包括被配置为产生磁场的第一层，该第一层包括一种在低温温度范围内展现超导性的材料。在一个实施例中，该量子位调谐装置包括量子处理器芯片的量子位，其中该第一层被配置为与该量子位磁性地相互作用，从而使得该第一层的第一磁通量通过第一频移值引起该量子位的第一谐振频率的第一变化。

公开(公告)号：CN113168579B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN201980076405.4

申请日：2019-11-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·弗里斯齐 ,  H·巴罗斯基 ,  M·布林克

IPC: G06N10/00

Abstract: 一种用于量子位调谐的方法的实施例包括通过第一层的一部分产生第一磁场，该第一层包括一种在低温温度范围内展现超导性的材料，该第一层的该部分高于临界温度。在实施例中，该方法包括将第一层的该部分至少冷却至临界温度。在实施例中，该方法包括响应于将第一层的该部分至少冷却至临界温度而产生第二磁场，该第二磁场与量子处理器芯片的量子位磁性地相互作用，这样使得该第一层的第一磁通量通过第一频移值引起该量子位的第一谐振频率的第一变化。

公开(公告)号：CN113056752B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201980076319.3

申请日：2019-11-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·布林克 ,  H·巴罗斯基 ,  A·弗里斯齐

IPC: G06N10/00

Abstract: 量子位调谐装置的一个实施例包括被配置为产生磁场的第一层，该第一层包括一种在低温温度范围内展现超导性的材料。在一个实施例中，该量子位调谐装置包括量子处理器芯片的量子位，其中该第一层被配置为与该量子位磁性地相互作用，从而使得该第一层的第一磁通量通过第一频移值引起该量子位的第一谐振频率的第一变化。

公开(公告)号：CN113168579A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076405.4

申请日：2019-11-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·弗里斯齐 ,  H·巴罗斯基 ,  M·布林克

IPC: G06N10/00

Abstract: 一种用于量子位调谐的方法的实施例包括通过第一层的一部分产生第一磁场，该第一层包括一种在低温温度范围内展现超导性的材料，该第一层的该部分高于临界温度。在实施例中，该方法包括将第一层的该部分至少冷却至临界温度。在实施例中，该方法包括响应于将第一层的该部分至少冷却至临界温度而产生第二磁场，该第二磁场与量子处理器芯片的量子位磁性地相互作用，这样使得该第一层的第一磁通量通过第一频移值引起该量子位的第一谐振频率的第一变化。