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公开(公告)号：CN102782856A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011564.X
申请日：2011-02-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/12
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L29/1606 , Y10S977/755
Abstract: 一种三维（3D）集成电路（IC）结构包括：形成在衬底上的第一石墨烯层；利用所述第一石墨烯层形成的一个或多个有源器件的第一层级；形成在所述一个或多个有源器件的第一层级上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的第二石墨烯层；以及利用所述第二石墨烯层形成的一个或多个有源器件的第二层级，所述一个或多个有源器件的第二层级与所述一个或多个有源器件的第一层级电气互连。
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公开(公告)号：CN101937874B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010212242.9
申请日：2010-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/823425 , H01L21/26586 , H01L21/823412 , H01L29/66492 , H01L29/66659
Abstract: 本发明提供一种形成不对称场效应晶体管的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底的顶上至少形成第一和第二栅极-掩模叠层，其中第一和第二栅极-掩模叠层至少分别包括第一和第二晶体管的第一和第二栅极导体并分别具有顶表面、第一侧以及第二侧，其中第二侧与第一侧相反；从第一和第二栅极-掩模叠层的第一侧以第一角度进行第一晕圈注入，同时应用第一栅极-掩模叠层来防止第一晕圈注入到达第二晶体管的第一源极/漏极区，其中第一角度等于或大于预定值；以及从第一和第二栅极-掩模叠层的第二侧以第二角度进行第二晕圈注入，由此在第二晶体管的第二源极/漏极区中产生晕圈注入物，其中相对于衬底的法线测量第一和第二角度。
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公开(公告)号：CN101937874A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010212242.9
申请日：2010-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/823425 , H01L21/26586 , H01L21/823412 , H01L29/66492 , H01L29/66659
Abstract: 本发明提供一种形成不对称场效应晶体管的方法。该方法包括以下步骤：在半导体衬底的顶上至少形成第一和第二栅极-掩模叠层，其中第一和第二栅极-掩模叠层至少分别包括第一和第二晶体管的第一和第二栅极导体并分别具有顶表面、第一侧以及第二侧，其中第二侧与第一侧相反；从第一和第二栅极-掩模叠层的第一侧以第一角度进行第一晕圈注入，同时应用第一栅极-掩模叠层来防止第一晕圈注入到达第二晶体管的第一源极/漏极区，其中第一角度等于或大于预定值；以及从第一和第二栅极-掩模叠层的第二侧以第二角度进行第二晕圈注入，由此在第二晶体管的第二源极/漏极区中产生晕圈注入物，其中相对于衬底的法线测量第一和第二角度。
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公开(公告)号：CN102782856B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180011564.X
申请日：2011-02-04
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/12
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L29/1606 , Y10S977/755
Abstract: 一种三维（3D）集成电路（IC）结构包括：形成在衬底上的第一石墨烯层；利用所述第一石墨烯层形成的一个或多个有源器件的第一层级；形成在所述一个或多个有源器件的第一层级上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的第二石墨烯层；以及利用所述第二石墨烯层形成的一个或多个有源器件的第二层级，所述一个或多个有源器件的第二层级与所述一个或多个有源器件的第一层级电气互连。
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