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公开(公告)号：CN101304040B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810091371.X
申请日：2008-05-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/24 , H03K17/687
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/148 , H03K19/1736
Abstract: 本发明提供开关单元和开关单元阵列。至少一个可编程通路孔结构，该结构包括至少两个直接接触加热元件的相变材料通路孔，可编程通路孔结构还包括与所述加热元件的第一部分接触的第一端子，与加热元件的第二部分接触的第二端子，与至少两个可编程通路孔之一接触的第三端子，以及与至少两个可编程通路孔的另一个接触的第四端子；第一电路块，与第三和第四端子之一接触；第二电路块，与没有接触第一电路块的第三或第四端子接触；第一场效应晶体管的源区，与第一和第二端子之一接触；以及第二场效应晶体管的漏区，与没有接触第一场效应晶体管的源区的第一或第二端子接触。本发明还提供操作该至少一个可编程通路孔结构的方法。
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公开(公告)号：CN102639257A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080051124.2
申请日：2010-11-03
Applicant: 国际商业机器公司 , 旺宏电子股份有限公司
IPC: B05D5/00
CPC classification number: H01L45/1616 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 一种制造相变存储器（PCM）单元的方法，包括：在电极之上形成电介质层，电极包括电极材料；在电介质层中形成通孔，使通孔向下延伸到该电极；以及在通孔中的电极上生长相变材料的单晶。一种相变存储器（PCM）单元，包括：包含电极材料的电极；电极之上的电介质层；电介质层中的通孔；以及位于通孔中的相变材料的单晶，该单晶与通孔底部的电极接触。
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公开(公告)号：CN101304040A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810091371.X
申请日：2008-05-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/24 , H03K17/687
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1206 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/148 , H03K19/1736
Abstract: 本发明提供开关单元和开关单元阵列。至少一个可编程通路孔结构，该结构包括至少两个直接接触加热元件的相变材料通路孔，可编程通路孔结构还包括与所述加热元件的第一部分接触的第一端子，与加热元件的第二部分接触的第二端子，与至少两个可编程通路孔之一接触的第三端子，以及与至少两个可编程通路孔的另一个接触的第四端子；第一电路块，与第三和第四端子之一接触；第二电路块，与没有接触第一电路块的第三或第四端子接触；第一场效应晶体管的源区，与第一和第二端子之一接触；以及第二场效应晶体管的漏区，与没有接触第一场效应晶体管的源区的第一或第二端子接触。本发明还提供操作该至少一个可编程通路孔结构的方法。
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公开(公告)号：CN102639257B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080051124.2
申请日：2010-11-03
Applicant: 国际商业机器公司 , 旺宏电子股份有限公司
IPC: B05D5/00
CPC classification number: H01L45/1616 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 一种制造相变存储器（PCM）单元的方法，包括：在电极之上形成电介质层，电极包括电极材料；在电介质层中形成通孔，使通孔向下延伸到该电极；以及在通孔中的电极上生长相变材料的单晶。一种相变存储器（PCM）单元，包括：包含电极材料的电极；电极之上的电介质层；电介质层中的通孔；以及位于通孔中的相变材料的单晶，该单晶与通孔底部的电极接触。
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