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公开(公告)号：CN119395489B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510001044.4
申请日：2025-01-02
Applicant: 国网经济技术研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 张进 , 李明 , 李探 , 张刚琦 , 李梦 , 赵书静 , 赵峥 , 于苗 , 刘思源 , 张岐宁 , 苑宾 , 徐礼强 , 刘钊汝 , 王莹鑫 , 纪卫峰 , 李志闯 , 尹聪琦 , 周邦昊 , 郭勇帆 , 孟羽
Abstract: 本发明公开了一种转折晶闸管的击穿电压获取方法及系统，所述方法包括：通过改变电容器模组的第一容量值，对转折晶闸管进行多次放电施压测试，获取多对第一容量值与对应的钳位电压组成的数据对；基于多对数据对，构建转折晶闸管的保护电压‑电容器容量的关系函数；其中，关系函数用于表征钳位电压与第一容量值之间的映射关系，或者击穿电压与第二容量值之间的映射关系；将预设电容器的容量值作为第二容量值，输入至关系函数中，计算得到预设电容器对转折晶闸管施压时的目标击穿电压。本发明能够在不损毁转折晶闸管的前提下，准确地计算出大电容器对转折晶闸管施压时形成的击穿电压。
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公开(公告)号：CN119395489A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510001044.4
申请日：2025-01-02
Applicant: 国网经济技术研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 张进 , 李明 , 李探 , 张刚琦 , 李梦 , 赵书静 , 赵峥 , 于苗 , 刘思源 , 张岐宁 , 苑宾 , 徐礼强 , 刘钊汝 , 王莹鑫 , 纪卫峰 , 李志闯 , 尹聪琦 , 周邦昊 , 郭勇帆 , 孟羽
Abstract: 本发明公开了一种转折晶闸管的击穿电压获取方法及系统，所述方法包括：通过改变电容器模组的第一容量值，对转折晶闸管进行多次放电施压测试，获取多对第一容量值与对应的钳位电压组成的数据对；基于多对数据对，构建转折晶闸管的保护电压‑电容器容量的关系函数；其中，关系函数用于表征钳位电压与第一容量值之间的映射关系，或者击穿电压与第二容量值之间的映射关系；将预设电容器的容量值作为第二容量值，输入至关系函数中，计算得到预设电容器对转折晶闸管施压时的目标击穿电压。本发明能够在不损毁转折晶闸管的前提下，准确地计算出大电容器对转折晶闸管施压时形成的击穿电压。
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公开(公告)号：CN119890195A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510136807.6
申请日：2025-02-07
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种芯片抗爆封装结构，包括：精准击穿晶闸管芯片；所述的精准击穿晶闸管芯片的第一表面设有设置有阴极总成，精准击穿晶闸管芯片的第二表面设有设置有阳极总成，阴极总成与阳极总成之间安装有抗爆环，阳极总成、阴极总成与抗爆环形成第一腔体空间；所述的阴极总成与阳极总成之间设置有陶瓷伞裙，阳极总成外焊接有第一阳极焊接环与第一阴极连接环，阴极总成外焊接有第一阴极焊接环，阳极总成、第一阳极焊接环、陶瓷伞裙、第一阴极连接环、第一阴极焊接环、阴极总成组成第二腔体空间，本发明的芯片抗爆封装结构在保证通流能力的同时，在封装内部提供了足够的腔体空间，通过内部放置特殊装置抗爆环，提高了精准击穿晶闸管的抗爆能力。
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公开(公告)号：CN118818101A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411112873.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及在大功率半导体的测试领域应用到的一种同轴低感测试夹具，包括了压力框架结构、同轴电极结构、叠层引出结构，其中同轴电极结构和叠层引出结构搭载在压力框架结构上，同轴电极结构通过被测器件上下两个表面电极的电传导结构形成了上表面传导为芯，下表面传导为外围的同轴电极结构，叠层引出结构使得同轴结构的被测器件引出至电源测试柜之间形成叠层输出布线；本发明的有益效果是：兼顾了传统测试夹具的加热功能，且采用叠层引出结构和同轴电极结构，经实际实施验证后，很大程度上降低了测试回路的分布电感量，使用起来安全简单、高效实用、效果良好。
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