盆式绝缘子外屏蔽结构的优化方法

    公开(公告)号:CN111507029A

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN202010126223.8

    申请日:2020-02-27

    IPC分类号: G06F30/23

    摘要: 本发明公开了一种盆式绝缘子外屏蔽结构的优化方法,方法包括以下步骤:基于盆式绝缘子建立电场有限元分析模型,其中,所述模型应包括盆式绝缘子本体、气体域和基础母线,基于插值曲线绘制盆式绝缘子外屏蔽结构,所述插值曲线包括若干控制点组成的凹面外屏蔽结构插值曲线和凸面外屏蔽结构插值曲线,对所述盆式绝缘子本体、气体域、基础母线及外屏蔽结构施加边界条件,基于优化目标函数、控制变量及约束条件通过优化算法优化外屏蔽结构,其中,优化目标函数包括外屏蔽电极及基础母线表面电场最大值,控制变量包括所述控制点径向坐标与基础母线半径之比,调整优化后的外屏蔽结构使其可加工安装。