一种声子晶体复合亥姆霍兹型声学超结构

    公开(公告)号:CN117095664A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202310889490.4

    申请日:2023-07-19

    Abstract: 本发明提供一种声子晶体复合亥姆霍兹型声学超结构,包括:基体,基体包括相对的第一表面和第二表面,基体内设置有多个空腔,空腔的两端分别贯通第一表面和第二表面;第一盖板,覆盖第一表面,第一盖板上设置有与空腔连通的吸声孔;多个声子晶体结构,与多个空腔一一对应设置,各声子晶体结构由基体的第二表面伸入空腔;声子晶体结构与第一盖板之间具有预设距离,声子晶体结构的靠近第一表面的一面与空腔的腔壁、第一盖板围合形成亥姆霍兹共振腔。声子晶体结构能够在特定的频带产生带隙,声子晶体结构和第一盖板在空腔内部围合形成亥姆霍兹共振腔,声子晶体结构的带隙特性以及亥姆霍兹型声学超结构的局域共振特性能够有效解决结构的低频噪声问题。

    吸声结构及其控制方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116778889A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310563451.5

    申请日:2023-05-18

    Abstract: 本发明提供一种吸声结构及其控制方法,该吸声结构包括:基体,基体上设置有一侧开口的凹槽;膜层,与基体连接并将凹槽的开口封闭,膜层和基体围合形成吸声腔;负应力伸缩控件,负应力伸缩控件包括与膜层贴合设置的电致伸缩元件以及与电致伸缩元件相连的控制元件,控制元件配置为,向电致伸缩元件施加电压,使得电致伸缩元件形变以改变膜层应力,进而调节吸声结构的吸声频率。控制元件能够向电致伸缩元件施加电压使得电致伸缩元件发生形变,使得与电致伸缩元件贴合的膜层具备可调的负的应力,实现超薄背腔下低频吸声。控制元件能够对吸声结构的吸声频率进行调节,使得吸声频率与外界环境的噪声频率一致,可实现精准可调的超薄低频吸声降噪的作用。

    双稳态非线性隔振器及轨道隔振系统

    公开(公告)号:CN114396451B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202210061979.8

    申请日:2022-01-19

    Abstract: 本发明提供的双稳态非线性隔振器包括设置于基体与振动源之间的弹性件,弹性件在实现了基体与振动源之间的隔振的同时保证了隔振器的承载能力,隔振器还包括悬臂结构和第二磁性件,悬臂结构的悬端设置有与第二磁性件相对的第一磁性件,且两个磁性件相对的一侧极性相同,从而形成双稳态结构,双稳态结构具备卓越的俘能性能,特别是稳态之间跳转这种大幅值运动形态,不依赖特定的激励频率,可以在较宽的频带上收集能量。在弹性件提升承载能力的基础上引入非线性磁力,改变隔振器的动力学特性,构造出磁力双稳态结构,利用双稳态结构的非线性特性实现低频宽带高载隔振。本发明提供的双稳态非线性隔振器应用于轨道隔振系统,能够达到很好的隔振效果。

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