公开(公告)号：CN109417096A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040949.6

申请日：2017-06-02

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社日立制作所 ,  富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 小杉亮治 ,  纪世阳 ,  望月和浩 ,  河田泰之 ,  绞缬英典

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 提高包含功率半导体元件的半导体装置的制造成品率及可靠性。在具有相对于＜11-20＞方向倾斜的晶体主表面的基板上，形成朝x方向延伸、且在与x方向垂直的y方向上彼此分离的多个沟槽DT。而且，通过由填充到沟槽DT内部的半导体层构成的p型支柱区域PC、以及由在y方向上彼此相邻的沟槽DT之间的基板部分构成的n型支柱区域NC，构成超结结构，沟槽DT的延伸方向(x方向)与＜11-20＞方向的角度误差在±θ以内。这里，对于高度h、宽度w的沟槽，由{arctan{k×(w/h)}}/13确定。这里，k至少小于2，优选为小于等于0.9，进而优选为小于等于0.5，更进一步优选为小于等于0.3。

公开(公告)号：CN109417096B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201780040949.6

申请日：2017-06-02

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社日立制作所 ,  富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 小杉亮治 ,  纪世阳 ,  望月和浩 ,  河田泰之 ,  绞缬英典

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 提高包含功率半导体元件的半导体装置的制造成品率及可靠性。在具有相对于＜11‑20＞方向倾斜的晶体主表面的基板上，形成朝x方向延伸、且在与x方向垂直的y方向上彼此分离的多个沟槽DT。而且，通过由填充到沟槽DT内部的半导体层构成的p型支柱区域PC、以及由在y方向上彼此相邻的沟槽DT之间的基板部分构成的n型支柱区域NC，构成超结结构，沟槽DT的延伸方向(x方向)与＜11‑20＞方向的角度误差在±θ以内。这里，对于高度h、宽度w的沟槽，由{arctan{k×(w/h)}}/13确定。这里，k至少小于2，优选为小于等于0.9，进而优选为小于等于0.5，更进一步优选为小于等于0.3。