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公开(公告)号：CN112219275A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201980032085.2
申请日：2019-06-11
Applicant: 国立大学法人鸟取大学 , 长濑产业株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 本发明提供一种即使绝缘体层使用氧化铝，工作电压也低且耐开关性也大的高性能的CB‑RAM。在导电性桥接型的存储器装置中，使浸入到绝缘体层3的细孔3a内的电解质层4为混合离子液体，该混合离子液体混合有溶剂化离子液体和黏性系数比该溶剂化离子液体的黏性系数小的离子液体即低黏度的离子液体。
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