公开(公告)号：CN108778993B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201780010179.0

申请日：2017-02-15

Applicant: 国立大学法人东京工业大学 ,  株式会社名城毫微碳

Inventor： 福岛孝典 ,  庄子良晃 ,  竹延大志 ,  今津直树 ,  大井亮

IPC: C01B32/158 ,  C08J3/20 ,  H01B1/24 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种良好的导电性和导电特性的经时稳定性优异的含多层CNT组合物及其制造方法等。此外，本发明提供一种能够制造在高温环境下的导电性和电阻值稳定性优异的含CNT组合物的被掺杂的含单层和/或2层CNT组合物的制造方法。本发明的含多层CNT组合物的制造方法包含使多层碳纳米管与2配位硼阳离子盐接触的接触工序，所述多层碳纳米管中，将碳纳米管的总数设为100％时包含35％以上的3层以上的碳纳米管。

公开(公告)号：CN108778993A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780010179.0

申请日：2017-02-15

Applicant: 国立大学法人东京工业大学 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 福岛孝典 ,  庄子良晃 ,  竹延大志 ,  今津直树 ,  大井亮

IPC: C01B32/158 ,  C08J3/20 ,  H01B1/24 ,  H01B13/00

CPC classification number: C01B32/158 ,  C08J3/20 ,  H01B1/24 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种良好的导电性和导电特性的经时稳定性优异的含多层CNT组合物及其制造方法等。此外，本发明提供一种能够制造在高温环境下的导电性和电阻值稳定性优异的含CNT组合物的被掺杂的含单层和/或2层CNT组合物的制造方法。本发明的含多层CNT组合物的制造方法包含使多层碳纳米管与2配位硼阳离子盐接触的接触工序，所述多层碳纳米管中，将碳纳米管的总数设为100％时包含35％以上的3层以上的碳纳米管。