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公开(公告)号:CN102513092A
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN201110352594.9
申请日:2008-06-04
Applicant: 国立大学法人东京大学
CPC classification number: B01J35/004 , B01J21/063 , B01J21/066 , B01J23/26 , B01J23/72 , B01J23/745 , B01J37/0201
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够以低成本且不使用铂而获得的光催化剂材料、特别是可见光响应型光催化剂材料,以及提供:具有传统光催化剂材料所没有的光催化机理的材料、该材料的生产方法、使用该材料的污染物质的分解方法。所述光催化剂材料具有a)第1金属的氧化物和b)第2金属的水络盐;且所述材料中,所述第1金属的氧化物中导带下端的氧化还原电位比0.2V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,所述第2金属的水络盐中第2金属的离子的氧化还原电位比3.0V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,在所述材料中,所述第2金属的水络盐化学吸附在所述第1金属的氧化物上。
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公开(公告)号:CN101678346A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200880019134.0
申请日:2008-06-04
Applicant: 国立大学法人东京大学
CPC classification number: B01J35/004 , B01J21/063 , B01J21/066 , B01J23/26 , B01J23/72 , B01J23/745 , B01J37/0201
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够以低成本且不使用铂而获得的光催化剂材料、特别是可见光响应型光催化剂材料,以及提供:具有传统光催化剂材料所没有的光催化机理的材料、该材料的生产方法、使用该材料的污染物质的分解方法。所述光催化剂材料具有a)第1金属的氧化物和b)第2金属的水络盐;且所述材料中,所述第1金属的氧化物中导带下端的氧化还原电位比0.2V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,所述第2金属的水络盐中第2金属的离子的氧化还原电位比3.0V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,在所述材料中,所述第2金属的水络盐化学吸附在所述第1金属的氧化物上。
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公开(公告)号:CN102513092B
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201110352594.9
申请日:2008-06-04
Applicant: 国立大学法人东京大学
CPC classification number: B01J35/004 , B01J21/063 , B01J21/066 , B01J23/26 , B01J23/72 , B01J23/745 , B01J37/0201
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够以低成本且不使用铂而获得的光催化剂材料、特别是可见光响应型光催化剂材料,以及提供:具有传统光催化剂材料所没有的光催化机理的材料、该材料的生产方法、使用该材料的污染物质的分解方法。所述光催化剂材料具有a)第1金属的氧化物和b)第2金属的水络盐;且所述材料中,所述第1金属的氧化物中导带下端的氧化还原电位比0.2V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,所述第2金属的水络盐中第2金属的离子的氧化还原电位比3.0V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,在所述材料中,所述第2金属的水络盐化学吸附在所述第1金属的氧化物上。
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公开(公告)号:CN101678346B
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN200880019134.0
申请日:2008-06-04
Applicant: 国立大学法人东京大学
CPC classification number: B01J35/004 , B01J21/063 , B01J21/066 , B01J23/26 , B01J23/72 , B01J23/745 , B01J37/0201
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够以低成本且不使用铂而获得的光催化剂材料、特别是可见光响应型光催化剂材料,以及提供:具有传统光催化剂材料所没有的光催化机理的材料、该材料的生产方法、使用该材料的污染物质的分解方法。所述光催化剂材料具有a)第1金属的氧化物和b)第2金属的水络盐;且所述材料中,所述第1金属的氧化物中导带下端的氧化还原电位比0.2V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,所述第2金属的水络盐中第2金属的离子的氧化还原电位比3.0V(相对于标准电极电位,pH=0时的值)更低,在所述材料中,所述第2金属的水络盐化学吸附在所述第1金属的氧化物上。
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公开(公告)号:CN101977688B
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN200980110140.1
申请日:2009-03-19
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 松下电器产业株式会社
CPC classification number: A61L9/18 , A61L9/205 , B01J23/72 , B01J23/888 , B01J35/004 , B01J37/0072 , B01J37/009 , B01J37/0211 , B01J37/0234 , B01J37/04
Abstract: 公开了一种光催化剂材料,其特征在于包含三氧化钨微粒和负载于所述微粒表面上的二价铜盐。其使得可以增加可见光照射下三氧化钨的氧化分解活性,其原因是二价铜盐可以用作氧的多电子还原催化剂。
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公开(公告)号:CN101977688A
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN200980110140.1
申请日:2009-03-19
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 松下电工株式会社
CPC classification number: A61L9/18 , A61L9/205 , B01J23/72 , B01J23/888 , B01J35/004 , B01J37/0072 , B01J37/009 , B01J37/0211 , B01J37/0234 , B01J37/04
Abstract: 公开了一种光催化剂材料,其特征在于包含三氧化钨微粒和负载于所述微粒表面上的二价铜盐。其使得可以增加可见光照射下三氧化钨的氧化分解活性,其原因是二价铜盐可以用作氧的多电子还原催化剂。
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