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公开(公告)号：CN100471023C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710063247.8
申请日：2007-01-05
Applicant: 清华大学 , 国电南京自动化股份有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
Abstract: 本发明属于三电平高压变频器调制技术，其特征在于针对三电平NPC变频器，在频率小于45Hz时采用异步SVPWM，开关频率为600Hz，在45Hz以上采用特定消谐PWM，开关点数为7。从而避免了空间矢量PWM高频时谐波特性变差和特定消谐PWM在低频时存储量大的缺点，使变频器在整个工作范围内都可以有效的抑制低次谐波，同时在高频时改善了波形质量，减少了发热损耗，降低了对滤波器的要求，提高了系统效率。相应地，由于采用固定角度切换的方法，保证了两者之间的平滑切换，保证了系统的安全与可靠。
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公开(公告)号：CN100391075C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510086343.5
申请日：2005-09-02
Applicant: 清华大学 , 国电南京自动化股份有限公司
IPC: H02H7/10
Abstract: 本发明属于集成门极换流晶闸管(IGCT)中高压三电平变换器技术领域，其特征在于：在主控板与IGCT中高压三电平变换器之间接入一个复杂可编程逻辑器件(CPLD)芯片和与该芯片相串接的光纤驱动电路，用一个CPLD把死区时间控制、最小脉宽控制和过渡脉冲控制三种方法有机结合起来，使该变换器在封锁脉冲的过程中同时避免发生桥臂直通、单个器件开关动作时间过短以及单个器件承受全边直流母线电压等现象，保证开关器件和变换器的安全、正常工作。本发明还依据IGCT器件特性、吸收电路参数来确定死区时间以及通态和阻态最小脉宽时间的设定值，使其同时满足IGCT和吸收电路中器件工作的要求，具有易于实现、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN101018020A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710063247.8
申请日：2007-01-05
Applicant: 清华大学 , 国电南京自动化股份有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
Abstract: 本发明属于三电平高压变频器调制技术，其特征在于针对三电平NPC变频器，在频率小于45Hz时采用异步SVPWM，开关频率为600Hz，在45Hz以上采用特定消谐PWM，开关点数为7。从而避免了空间矢量PWM高频时谐波特性变差和特定消谐PWM在低频时存储量大的缺点，使变频器在整个工作范围内都可以有效的抑制低次谐波，同时在高频时改善了波形质量，减少了发热损耗，降低了对滤波器的要求，提高了系统效率。相应地，由于采用固定角度切换的方法，保证了两者之间的平滑切换，保证了系统的安全与可靠。
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公开(公告)号：CN102279361B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201110175368.8
申请日：2006-02-23
Applicant: 国电南京自动化股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明涉及高压变频器的IGCT逆变电路压接均匀度检验措施和独立测试方法。属于IGCT高压变频器制造技术领域。本发明在压接中特别采用压力试纸真实检验压力分布情况，根据试纸颜色分布状况判断压力分布是否均匀，并且重新调整压接方向。在所有压接好的逆变电路安装好以后，在逆变电路中针对所有IGCT分别构造出单管测试电路拓扑，采用专门的控制电路发出特定频率、占空比和数量的脉冲，记录下每个IGCT对应的电压和电流波形，并通过分析比较波形就可以在变频器控制系统不参与的条件下独立检验逆变电路的性能，从电气方面判断压接质量，同时便于调整吸收电路参数。
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公开(公告)号：CN102279361A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110175368.8
申请日：2006-02-23
Applicant: 国电南京自动化股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01R31/327
Abstract: 本发明涉及高压变频器的IGCT逆变电路压接均匀度检验措施和独立测试方法。属于IGCT高压变频器制造技术领域。本发明在压接中特别采用压力试纸真实检验压力分布情况，根据试纸颜色分布状况判断压力分布是否均匀，并且重新调整压接方向。在所有压接好的逆变电路安装好以后，在逆变电路中针对所有IGCT分别构造出单管测试电路拓扑，采用专门的控制电路发出特定频率、占空比和数量的脉冲，记录下每个IGCT对应的电压和电流波形，并通过分析比较波形就可以在变频器控制系统不参与的条件下独立检验逆变电路的性能，从电气方面判断压接质量，同时便于调整吸收电路参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1862269B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200610038468.5
申请日：2006-02-23
Applicant: 国电南京自动化股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01R31/00 , G01R31/327
Abstract: 本发明涉及高压变频器的IGCT逆变电路压接均匀度检验措施和独立测试方法。属于IGCT高压变频器制造技术领域。本发明在压接中特别采用压力试纸真实检验压力分布情况，根据试纸颜色分布状况判断压力分布是否均匀，并且重新调整压接方向。在所有压接好的逆变电路安装好以后，在逆变电路中针对所有IGCT分别构造出单管测试电路拓扑，采用专门的控制电路发出特定频率、占空比和数量的脉冲，记录下每个IGCT对应的电压和电流波形，并通过分析比较波形就可以在变频器控制系统不参与的条件下独立检验逆变电路的性能，从电气方面判断压接质量，同时便于调整吸收电路参数。
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公开(公告)号：CN1862269A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610038468.5
申请日：2006-02-23
Applicant: 国电南京自动化股份有限公司 , 清华大学
IPC: G01R31/00 , G01R31/327
Abstract: 本发明涉及高压变频器的IGCT逆变电路压接均匀度检验措施和独立测试方法。属于IGCT高压变频器制造技术领域。本发明在压接中特别采用压力试纸真实检验压力分布情况，根据试纸颜色分布状况判断压力分布是否均匀，并且重新调整压接方向。在所有压接好的逆变电路安装好以后，在逆变电路中针对所有IGCT分别构造出单管测试电路拓扑，采用专门的控制电路发出特定频率、占空比和数量的脉冲，记录下每个IGCT对应的电压和电流波形，并通过分析比较波形就可以在变频器控制系统不参与的条件下独立检验逆变电路的性能，从电气方面判断压接质量，同时便于调整吸收电路参数。
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公开(公告)号：CN1747273A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510086343.5
申请日：2005-09-02
Applicant: 清华大学 , 国电南京自动化股份有限公司
IPC: H02H7/10
Abstract: 本发明属于IGCT中高压三电平变换器技术领域，其特征在于：在主控板与IGCT中高压三电平变换器之间接入一个CPLD芯片和与该芯片相串接的光纤驱动电路，用一个CPLD芯片把死区时间控制、最小脉宽控制和过渡脉冲控制三种方法有机结合起来，使该变换器在封脉冲过程中同时避免发生桥臂直通、单个器件开关动作时间过短以及单个器件承受全边直流母线电压等现象，保证开关器件和变换器的安全、正常工作。本发明还依据IGCT器件特性、吸收电路参数来确定死区时间以及通态和阻态最小脉宽时间的设定值，使其同时满足IGCT和吸收电路中器件工作的要求，具有易于实现、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN1862937A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610038466.6
申请日：2006-02-23
Applicant: 国电南京自动化股份有限公司 , 清华大学
IPC: H02M5/451
Abstract: 本发明涉及一种三电平集成式中、高压变频器。属于电力电子技术领域。它包括至少一套三分裂降压变压器；至少一套12脉冲整流单元；至少一套整流吸收单元；母线功率半导体开关器件快速保护单元；至少一套集成了功率半导体开关器件自动均压功能的三电平逆变单元；一套集成滤波升压单元。本发明解决使用IGBT器件级联方式作为主电路的中高压变频器，功率半导体开关器件数目较多、可靠性低的问题；解决了传统三电平方式中高压变频器缺少母线功率半导体开关器件快速保护单元问题，扩大了中高压变频器的应用领域，提高了其可靠性。
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公开(公告)号：CN101409518B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810194926.3
申请日：2008-11-12
Applicant: 国电南京自动化股份有限公司
IPC: H02M7/5387 , H02M1/06 , H02M1/088
Abstract: 本发明涉及一种基于IGCT的二电平特定消谐脉宽调制实现方法，按照调制比m由小到大生成对应开关脉冲序列，形成格式存入FLASH存储器中；数字信号处理器根据对应的调制比和频率参数，从FLASH存储器读出A相对应的四分之一周期的开关角度，并对称扩展到360°以及构造出B相和C相的开关角度，同时读出对应的角度增量，转换计算后启动定时器，在定时中断子程序中，经过相间脉宽处理后使三相间IGCT开关动作时间间隔满足要求。本发明依据IGCT的开关特性和输出LC滤波电路的设计特点等，采用特定消谐脉宽调制实现了该种高压变频器在整个输出频率段良好的输出波形，同时只需存储A相的四分之一周期开关角度数据，存储量小。
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